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[공업화학실험]박막 재료의 표면 처리 및 PR 제거

저작시기 2006.06 |등록일 2006.06.25 한글파일한글 (hwp) | 10페이지 | 가격 600원

소개글

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본문내용

■ 실험목적
여러 가지 전기 및 전자기기에 사용되는 반도체 소자의 제조공정은 박막재료의 세 가지 공정으로 나눠 지 는데 첫째로 증착공정 둘째로 마스크의 패턴형성 그리고 셋째로 식각공정으로 나눠진다. 이러한 공정 가운데서 중요한 공정은 박막의 식각공정으로서 마스크 패턴을 가지고 증착된 박막을 식각하는 것이다. 본 실험에서는 마스크에 의하여 형성된 패턴을 증착된 박막위로 전달하는 식각공정에 대하여 이해하고 그에 따른박막의 표면과 두께의 변화 등에 대하여 고찰하고자 한다.
■ 실험내용
가장 널리 사용되는 실리콘 산화막 (silicon oxide; SiO2) 박막을 적절한 식각가스를 선택하여 반응성 이온식각장치(reactive ion etcher; RIE)를 이용하여 식각한다. 식각 전후의 산화막의 색깔 변화를 관찰하여 식각 여부를 확인하고 식각에 의하여 형성된 패턴의 모양을 관찰한다.
■ 실험절차
(1) 산화막(SiO2)의 패터닝(patterning) - Lithography 공정 (조교가 수행)
(2) 패턴된 산화막의 표면 색깔과 패턴 모양 관찰 - 광학 현미경 사용
(3) 패턴된 산화막을 반응성 이온 식각장치를 사용하여 적절한 식각가스와 power를 선택하여
식각 실험을 진행한다.
(4) 식각된 산화막의 표면의 색깔과 패턴 모양 관찰 - 광학 현미경 사용
(5) 마스크 패턴의 제거 (O2 plasma ashing) - 플라즈마 ashing 장치를 이용하여 산소 플라
즈마를 발생시켜서 적절한 조건에서 마스크 패턴을 제거한다.
(6) 마스크 패턴을 제거한 산화막의 표면 색깔과 패턴 모양 관찰 - 광학 현미경 사용

참고 자료

반 도 체 소 자
PIERRET
교보문고
2005
CH4
INTRODUCTION TO SEMICONDUCTOR MANUFACTURING TECHNOLOGY
HONG.XIAO
PRECTIC HALL
2001
CH1,CH2,CH4,CH6
,CH7,CH9
반 도 체 공 학
김충원 외
도서출판 기 다 리
1990
CH1, CH8
플라즈마 물리학과 핵융합
최덕인
민음사
1985
CH1
공정플라즈마 기초와 응용
ALFRED GRILL
청문각
2003
CH1,CH2,CH3,CH4,CH8
PLASMA ETCH SYSTEM에 관한연구 논문
전자통신연구소
과학기술처
1986
CH2
월 간 전 자 기 술
성지영 기자
종합미디어그룹 첨단
2003
기획특집1
HYNIX ETCH 제조기술10팀 신입사원 교육자료
hynix etch 10팀
hyninx
2005
반도체 제조
Tokyo Eectron
http://www.psk-inc.com/hanmain/main.php
APPLIED MATERAILS
http://www.amat.co.kr/
P S K
http://www.psk-inc.com/hanmain/main.php
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