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평가점수B

[견학문]한국이온질화센터

저작시기 2006.05 |등록일 2006.06.22 한글파일한글 (hwp) | 3페이지 | 가격 800원

소개글

한국이온질화센터 견학문

목차

○ 이온 질화법(플라즈마 질화법)
○ 질화처리 공정도
○ 생산설비
○ 견학후기

본문내용

○ 이온 질화법(플라즈마 질화법)
N2 + H2가스를 1~10 Torr의 희박한 분위기의 진공로에서 처리부품을 음극(-), 로벽을 양극(+)으로 하여 수백 V의 직류전압을 가하여 글로우 방전을 일으켜 N+, H+ 이온, 그 밖의 NH+i(i=1~5)이온21)을 발생시켜, 이들 이온이 처리부품의 표면에 높은 운동 에너지를 갖고 충돌하여 처리온도까지 가열함과 동시에 질화를 행하는 방법이다. 이온질화에 의한 질화반응은 다른 질화법에 비하여 복잡하고 이온충격에 의해 처리부품의 표면에서 Fe원자가 튀어나와 이것이 플라즈마중에서 고도로 활성화된 N과 결합하여 FeN이 되어 표면에 흡착된다. 이 FeN은 불안정하므로 점차 저농도의 질화물 FeN→Fe2N →Fe3N→Fe4N의 변화를 일으켜 질화가 진행한다. 이 과정중에서 방출된 N은 처리부품의 표면에서 내부로 확산하여 FeN을 생성하며 질화가 계속된다.
[장점]
무공해 ,작업환경, 작업성이 좋다.
최표면의 화합물층의 자유로운 조정이 가능하고, 기공층이 전혀 없다.
질화속도가 가스질화와 비교하여 대단히 빠르다.
350℃이상의 저온이므로 열처리 변형이 적다.
처리품의 기능적인 효과로서 피로강도, 내마모성, 내식성을 향상시킬 수 있다.
[단점]
형상, 크기에 제한이 있다.
질화온도에서의 급냉은 불가능하다.
생산성이 낮다.
[특징]
부분적인 질화방지 대책이 용이하다.
질소, 수소, 혼합가스의 가스혼합비를 조절
질화 후 표면에 생성된 화합물 층의 조성을 용이하게 제어할 수 있다.
380℃~590℃의 온도범위에서 질화 처리가 가능하여 처리할 재질의 적용범위가 넓다.
특별한 전처리가 필요 없으며, SUS재도 질화처리가 가능하다.
확산층 내의 조직관리가 용이
제품의 사용용도에 적합한 화합물 층의 단상 생성이 가능.
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