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[재료공학]LTPS TFT-LCD 원리 및 종류 공정 응용

저작시기 2006.06 |등록일 2006.06.06 한글파일한컴오피스 (hwp) | 16페이지 | 가격 1,000원

소개글

LTPS 관련 TFT-LCD

장점 단점 및 원리 등등

목차

꓍. LTPS 란?
꓎. LTPS 의 제조법
꓏. ELA Process & 특징
ꓐ. Poly-Si TFT-LCD의 응용
ꓑ. HTPS, LTPS 의 비교 및 특성
ꓒ. LTPS Process comparison
ꓓ. LTPS 관련 기기
ꓔ. LTPS 장점
ꓕ LTPS의 기술 전망
꓍꓌ Application & Product
※ References ※

본문내용

(1)의 경우
580 ℃내외에서 Si2H6가스를 사용하여 0.1 torr 미만의 초저압상태에서 기판에 다결정 실리콘을 직접 증착하는 방법으로 증착온도가 비교적 높고, 증착된 다결정 실리콘의 결정화도가 낮고, 그레인의 크기가 작은 단점이 있다.

(2)의 경우
450 ℃정도에서비정질실리콘을 LPCVD 또는 plasma CVD법으로 증착한 후 고온로(furnace)에서 550 ℃ 내외의 온도에서 4∼50시간 열처리하여 고상성장시키는 방법이다. 이 경우 다결정질 실리콘박막의 표면 거칠기가 작은 장점이 있으나, 열처리 시간이 너무 길어 기판의 열수축 가능성이 있고, 그레인의 크기는 크지만 결정도가 그다지 좋지 않은 단점이 있다.
RTA의 경우는 SPC 경우와 마찬가지로 비정질 실리콘을 여러 가지 CVD법에의해 증착한 후 700 ℃근처 (RTA)나 850 ℃(PRTA)에서 수초이내에 혹은 초간펄스로 광학적인(할로겐램프) 기제로 열처리를 한다. 유리기판을 사용할 경우 손상과 재 결정화된 poly-Si의 잠재적인 스트레스가 커서 TFT에 응용하기 어려운 공정으로 평가된다.

(3)의 경우
기존 비정질 실리콘을 증착하는 조건에서 반응가스의 비율을 변화시키고 플라즈마의 출력을 100 W 정도로 높여서 다결정 실리콘을 직접 증착하는 방법이다. 이 경우에는 300 ℃내외 저온에서 다결정 실리콘이 짧은 시간동안 직접 증착되는 장점이 있으나, 결정화도가 낮고, 그레인의 크기가 균일하지 못한 단점이 있다.


(4)의 경우
연속발진레이저(CW laser)를 사용하는 방법과 펄스레이저(pulsed laser)를 사용하는 방법이 가능한데, 연속발진 레이저를 사용하는 경우 저온 공정이 되려면, 10 m/sec 정도의 매우 빠른속도로 주사해 주어야 하는 공정상의 어려운점이 있다. 펄스레이저의 경우 박막 가공에 유리한 흡수깊이(absorption depth)가 짧은 UV 파장의 엑시머레이저(Excimer laser)가 주로 사용된다. 이 경우 펄스 간 안정도(pulse- to-pulsestability)와 작은 레이저빔 면적, 그리고 빔의 profile 평편도가 문제되고 있다. 그러나, 최근 펄스 간 안정도가 5% 이내로 보장되는 엑시머레이저의 개발과 레이저빔 형태를 길고, 편평하게 만드는 광학계 기술이 발전되어 이 모든 문제들이 해결 가능성을 보임에 따라 산업계와 연구소에서는 엑시머레이저를 사용해 유리기판에 다결정 실리콘 박막을 제작하는 기술개발에 박차를 가하고 있다.

참고 자료

http://www.toppoly.com/toppoly/Technology/LTPS
http://www.samsungsdi.com
http://tftlcd.khu.ac.kr/facilities/LTPS.html
http://www.dig-m.com/digital
http://www.kps.or.kr/~pht
http://blog.naver.com/limnico
http://www.withche.com/main
http://blog.naver.com/ejawa75
http://www.lgphilips-lcd.com/homeContain/jsp/kor/tech
기술정보
Samsung electronics (LTPS TFT LCD / Hyun Jae Kim)
LG electronic - 이형수
TFT-LCD Reaserch Center, KyungHee Univ. - 장 진
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