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[반도체]반도체 제조 공정

저작시기 2006.05 |등록일 2006.06.01 파워포인트파일MS 파워포인트 (ppt) | 29페이지 | 가격 700원

소개글

반도체 제조공정을 파워포인트로 작성

목차

1. 재료 형성
2. 결정 성장 및 웨이퍼 형성
3. 웨이퍼 가공
4. 가공절차
5. 웨이퍼의 선별

본문내용

재료 형성
실리콘 반도체 소자 생산의 첫 단계:
규소로부터 실리콘을 추출하여 고순도로 만들어 준다.
몇 PPB(천만분의 일)이하의 순도를 가지는 실리콘을 전자급 혹은 반도체급이라 부른다.
수소 환원은 사염화규소나 삼염화 사일렌으로 시작한다.
사염화 실리콘 : SiCl4+2H2-4HCl+Si 삼염화 사일렌 : 2SiHCl3+2H2-6HCl+2Si
이때 추출된 실리콘은 다결정 Si이다.

결정 성장 및 웨이퍼 형성
다결정 실리콘으로부터 단결정 실리콘을 제조하는 과정을 단결정 성장이라 하며 성장된 단결정을 잘라낸 것이 실리콘 Wafer이다
단결정 성장시 적절한 Dopant를 첨가하여 n형 및 p형 Si웨이퍼를 제조한다.
대부분은 웨이퍼 그 자체도 상품이 된다.

웨이퍼 용어
(1)칩, Die : 웨이퍼 표면위에 같은 패턴이 완성되었을 때, 각 패턴은 개별 반도체 소자일 수도 있고, IC일 수도 있다.
(2)Scribe Line : 아무런 유니트나 회로가 없는 지역으로 웨이퍼를 개개의 칩으로 나누기 위해 톱질하는 영역이다.
(3)Enginnering test Die : 각 웨이퍼는 특이한 패턴의 칩 혹은 다이가 몇 개 있다. 현미경으로 보면 다르다는 것을 확실히 알 수 있다. 이는 정상적인 다이와 같은 공정으로 형성된 특별한 테스트 소자가 들어있다. IC의 트랜지스터, 다이오드, 저항 및 캐패시터는 너무 작아서, 공정중에 테스트하기 어려우므로 이 테스트 다이는 공정중의 품질관리를 위해 크게 만들어진다. 또한 테스트 다이는 수율을 높이는데도 기여하는데, 완성된 웨이퍼의 패턴이 여러 공정의 질을 보여주기 때문이다.
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