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[전자회로]J-FET의 특성

저작시기 2006.05 |등록일 2006.05.27 한글파일한컴오피스 (hwp) | 6페이지 | 가격 1,000원

소개글

1.드레인-소오스전압 VDS가 드레인전류 ID에 미치는 영향을 결정한다.
2.게이트-소오스 역바이어스 전압 VGS가 드레인전류 ID에 미치는 영향 측정한다.
3.J-FET의 드레인특성을 결정하고 도시한다.
4.특정한 VDS에 대한 J-FET 전달곡선을 결정하고 도시한다.

목차

1.관련이론
2.실험내용

본문내용

1. 관련이론
전계효과 트랜지스터(Field Effect Transistor)는 전자나 정공 중의 어느 한 종류의 캐리어에 의해서 동작하는 전압(전계)제어형 단극성 소자이다. FET는 두 가지 유형이 있으며, 하나는 접합형FET(Junction FET : J-FET)이며, 다른 하나는 금속산화물 반도체형 FET(Meral-Oxide-Semiconductor FET : MOS-FET)이다. FET와 BJT는 다음과 같은 중요한 특성에서 차이가 있다.
(1) FET는 동작은 다수캐리어만의 이동에 의존한다. 그러므로 단극성 소자이다.
(2) FET는 제조과정이 더 간단하며, 직접도를 아주 높게 할 수 있다.
(3) FET는 저항부하로 사용할 수 있으므로, MOSth자만으로도 디지털 시스템을 구성할 수 있다.
(4) FET는 아주 높은 입력저항을 가지므로 팬아우트(fanout)를 크게 할 수 있다.
(5) FET는 대칭형 쌍방향 스위치로서 사용할 수 있다.
(6) FET는 내부의 작은 캐패시턴스에 전하를 축적하므로, 기억소자로 작용한다.
(7) FET는 BJT보다 잡음이 적다.
(8) FET는 드레인전류가 0에서 offset 전압을 나타내지 않는다. 따라서 우수한 신호 쵸퍼(chopper)로서 사용될 수 있다.
(9) FET는 BJT보다 열적으로 안정하게 동작할 수 있다.
FET의 단점은 BJT와 비교해서 그 이득 대역폭적이 작고, 동작속도가 늦다는 것이다. 다음 그림1은 J-FET의 물리적 구조를 보여준다.
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