검색어 입력폼

[전자회로]CE구성의 특성곡선 및 베타 측정

저작시기 2006.04 |등록일 2006.05.27 한글파일한컴오피스 (hwp) | 4페이지 | 가격 1,000원

소개글

CE구성에 대한 VCE 대 IC 특성곡선을 실험적으로 결정한다.
IB의 변화에 따른 IC의 변화를 측정한다.
베타 값을 결정한다.

목차

1.관련이론
2.실험내용
3.고찰

본문내용

트랜지스터는 그 사용법에 따라서 (1)에미터접지 또는 에미터공통, (2)베이스접지 또는 베이스공통, (3)콜렉터접지 또는 콜렉터공통의 3가지로 기본 구성방법이 있다.
이들 중 에미터공통회로는 전압증폭, 전류증폭, 전력증폭을 하기 때문에 가장 많이 사용된다. 에미터공통회로에서는 입력신호가 베이스와 에미터 사이에 가해지고, 출력은 콜렉터와 에미터 사이에서 얻어진다.
에미터공통회로에 대한 출력특성과 입력특성곡선은 그림1에 나타내었다. 출력특성은 콜렉터특성(VCE 대 IC)을 말하고, 입력특성은 베이스특성(VBE 대 IB)을 나타내고 있다.
트랜지스터는 그 자체의 소비전력 정격내에서 동작되어야 한다. 그림2의 곡선은 트랜지스터의 주위온도가 25∘C로 유지할 때 실험적으로 결정한 것이다. 만약, 이 주위온도가 증가하면, 콜렉터전류도 더 증가하므로 허용할 수 있는 소비전력에 더 큰 제한을 주는 요인이 되므로 트랜지스터회로를 설계할 때는 이 점을 고려하여야 한다. 그림2로부터 β값을 계산할 수 있는데
다운로드 맨위로