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[재료실험][DH실험] 반도체단위공정, 증착, 식각

저작시기 2006.03 |등록일 2006.05.11 한글파일한컴오피스 (hwp) | 19페이지 | 가격 1,900원

소개글

[DH실험]이라는 제목아래 저의 실험 레포트를 올립니다.
저는 재료(신소재) 공학부 학생이고, 실험 과목에서 썼던 레포트입니다.

학부생 수준에서 쓸 수 있는 최고의 실험 레포트 라구 자부합니다.
모두 A+받은 레포트들입니다.

많이 다운받으셔서 좋은 성적 받으시길 바랍니다.


검색어 : DH실험

목차

1. Semiconductor Unit Process
2. Deposition(증착)
3. Etching(식각)

본문내용

레포트에는 전반적인 과정에 관한 내용과 증착과 식각에 관한 여러가지 종류와 각각의 장단점 및 각각의 구동 mechnism을 상세히 기술 하였습니다.
또한, 분류표 및 다양한 삽화가 포함 되어 있습니다.


원리 및 특징
: Sputtering은 chamber 내에공급되는 gas cathode에서 발생되는 전자사이의 충돌로부터 시작된다. 그 과정을 보면-. 진공 chamber내에 Ar과같은 불활성 기체를 넣고(약 2∼15mTorr 정도), cathode에 (-)전압을가하면-. cathode로부터방출된전자들이 Ar 기체원자와충돌하여, Ar을 이온화 시킨다.Ar + e-(primary) = Ar+ + e-(primary) + e-(secondary)-. Ar이 excite되면서 전자를 방출하면, 에너지가 방출되며, 이때 glow discharge가 발생하여 이온과 전자가 공존하는 보라색의 plasma를 보인다.
-. plasma내의 Ar+이온은 큰전위차에 의해 cathode(target)쪽으로 가속되어 target의표면과 충돌하면, 중성의 target원자들이 튀어나와 기판에 박막을 형성한다.

Sputter deposition의 장단점을 보면
(장점)
-. 여러 가지 다른재료에서도 성막속도가 안정되고비슷하다.
-. 균일한성막이가능, step 또는 defect coverage가좋다.
-. 박막의응착력(adhesion)이좋다.
-. 금속, 합금, 화합물, 절연체 등 다양한재료의 성막이 가능하다.
-. Target 냉각이 가능, 큰 target 사용가능하다.
-. 기판의 sputter etching으로 pre-cleaning이가능하다.
-. O2, N2등의 reactive sputter로 산화물, 질화물 박막의 형성이 가능하다.

(단점)
-. 성막속도가 낮다.(<10Å/sec)
⇒ Magnetron sputtering으로 증가시킬 수 있다.
-. High energy deposition 이므로 박막의 불균일과 damage 발생요인이 된다.
⇒성막후열처리로 불균일과 damage 감소시킴.
-. 박막이전자, UV, 이온등에 노출되어 가열된다.(100∼150℃)
⇒기판 holder의수냉이필요하다.
-. 성막조건이 민감하고 서로 영향을 끼친다.
⇒ Ar 기체압력, 전압, bias 전압, 기판온도등을 조절한다.

Sputtering 할때 조절해야 할 조건은 다음과같다.

-. 기판재료선정 및 세정
-. 박막두께결정 및 조성결정
-. 박막조성에 따른 target 결정
-. 기판온도결정
-. Background 압력결정 : 1×10-5∼1×10-6Torr
-. Ar 기체압력결정 : 2∼15mTorr
-. Input power 결정 : 500∼1000W
-. Reflected power를 "0"으로 setting
-. 기판 bias 전압결정 : -50∼-100W
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