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[에칭공정]에칭(etching)의 이해 및 공정

저작시기 2006.05 |등록일 2006.05.07 한글파일한컴오피스 (hwp) | 8페이지 | 가격 1,000원

소개글

플라즈마,etching,v-groove에 대해서 알고싶다면 이 자료가 필요합니다.

목차

1. 플라즈마
1) 플라즈마의 물성
플라즈마의 생성방법

2. Etching
1) 습식 식각
2) 건식 식각

3. V-groove
※ V-Groove 제작 원리

본문내용

플라즈마는 이온화된 기체를 지칭하며, 기체가 수만도 이상의 고온이되면서 만들어지기 시작하고, 보통의 기체와는 매우 다른 독톡한 성질을 갖기 때문에 물질의 제 4의 상태라 하기도 한다. 지구상에서는 물질의 대부분이 고체, 액체, 기체의 상태로 존재하고 자연적으로 존재하는 플라즈마는 매우 드물며, 전기아크, 번개, 네온 사인등이 주위에서 볼 수 있는 플라즈마이나, 지표를 떠나 우주 공간으로 나가면서 만나게 되는 전리층, 태양에서 불어오는 태양풍, 태양 그자체, 우주 공간에 존재하는 성간물질 및 밤 하늘에 반짝이는 별과 성운 들이 모두 플라즈마 상태에 있으며, Big Bang 이론에 의하면 우주의 탄생이 온도 1032도, 밀도 10100 g/cm3의 초고온, 고밀도의 플라즈마 달걀로 부터 대폭발을 함으로서 이루어져 지금도 전우주의 거의 대부분의 물질이 플라즈마 상태에 있다.
Etching
Etching은 궁극적으로 기판 상에 미세 회로를 형성하는 과정으로서, Develop 공정을 통해 형성된 PR pattern과 동일한 metal(혹은 기타 deposition된 물질)pattern을 만든다. 방식에 따라 크게 Wet etching과 Dry etching으로 구분한다.
※ Etchant: Wafer상의 특정지역 물질을 화학반응이나 물리적인 방법을 통해 제거 물질.
V-groove
홈이 V 모양이 되기 때문에 V-groove란 명칭을 사용한다.
※ V-Groove 제작 원리
Silicon Wafer 는 단결정으로 각 결정면의 방향에 따라 원자 배열 밀도 및 원자 간의 결합구조가 다르며, 결정표면에 결합에 참여하지 않는 결수가 많거나 원자 배열밀도가 낮아질수록 애칭속도가 빨라진다. 즉, (100)면이 (111)면보다 에칭속 도가 매우 커 V자 모양의 Groove가 만들어진다.
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