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[실험자료]원자층 단위 증착(ALD) 공정의 기본 원리

저작시기 2006.05 |등록일 2006.05.07 한글파일한컴오피스 (hwp) | 6페이지 | 가격 500원

소개글

원자층 단위 증착(ALD) 공정의 기본 원리를 이해하고 직접 실험을 통하여 박막을 만들어보고 그 특성을 분석하여 실제 연구에 응용할 수 있는 기본적인 능력을 배양하는 데에 본 실험의 목적이있다.

목차

화학기상증착(CVD:Chemical Vapor Deposition)공정
개 요
원자층 증착장치(ALD: Atomic Layer Deposition)
개 요
공 정
ALD의 특징 및 CVD와의 비교
ALD의 응용분야 및 효과

본문내용

1. 실험의 목적
원자층 단위 증착(ALD) 공정의 기본 원리를 이해하고 직접 실험을 통하여 박막을 만들어보고 그 특성을 분석하여 실제 연구에 응용할 수 있는 기본적인 능력을 배양하는 데에 본 실험의 목적이있다.

2. 이 론
▲ 화학기상증착(CVD:Chemical Vapor Deposition)공정
1) 개 요
반응가스간의 화학반응으로 형성된 입자들을 웨이퍼표면에 증착하여, 절연막이나 전도성 막을 형성시키는 공정이다.
두가지 이상의 Gas를 동일 화학 반응로(Chamber)에 불어넣어 특정한 화합물을 생성 시켜 그 반응 화학물이 Wafer 위에 가지런히 증착되고, 나머지 불필요한 화학 반응 생성물은 Gas 상태로 만들어져 배기관을 타고 배출되는 구조를 나타낸다.

▲ 원자층 증착장치(ALD: Atomic Layer Deposition)
1) 개 요
ALD 기술은 CVD 기술과 달리 반응 원료를 각각 분리하여 공급하는 방식으로 한 cycle 증착 시에 표면 반응에 의해 1ML(monolayer) 이하의 박막이 성장하게 된다. ALD 반응 단계는 이성분계 물질을 예로 들어 설명하면 아래와 같다.

ALD 기술에서의 반응은 위에서 보는 바와 같이 먼저 AXn가 공급된 뒤 A 원소가 기판 위에 흡착하게 된다. 이 때 AXn 원료끼리의 흡착은 physisorption으로 이루어져 결합력이 약하기 때문에 쉽게 떨어질 수 있으며, 반면 기판과 흡착한 A 원소는 기판과 chemisorption으로 더 강한 결합을 하기 때문에 그 다음 단계인 purge 단계에서 physisorption한 반응 원료는 모두 떨어져 나가 제거 되고 chemisorption한 A 원소는 흡착된 채로 남아 있게 된다. 이러한 chemisorption과 physisorption의 차이에 의해 ALD 기술에서 원자층 단위의 조절이 가능하게 된다.
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