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[전자공학]모스펫 실험결과

저작시기 2005.09 |등록일 2006.05.03 | 최종수정일 2018.03.20 한글파일한컴오피스 (hwp) | 3페이지 | 가격 4,500원

소개글

드레인-소스 전압(Vds) = 5[V] 고정
게이트 전압(Vgs)을 0.5[V]~5.0[V]까지 23단계로 변화
드레인 전류(Id) = (Vdd-Vds)/Rd , Rd = 300[Ω]

nMOSFET에 일정한 게이트전압이 가해진 상태에서 드레인-소스 전압에 따른 전류를 알 수 있다. 그래프와 수치 분석에 대해 상세히 언급되어 있다.

목차

실험 1.게이트 전압(Vgs) = 4[V] 고정
실험 2. 드레인-소스 전압(Vds) = 5[V] 고정
실험요약
실험고찰

본문내용

-실험요약
nMOSFET에 일정한 게이트전압이 가해진 상태에서 드레인-소스 전압을 증가시키면
전류는 점점 증가하다가 거의 일정한값으로 흐르게 된다.점점 증가하는영역이 Triod영역 이고 일정한값이흐르는영역이 Saturation영역이다
nMOSFET에 일정한 드레인-소스 전압이 가해진 상태에서 게이트 전압을 증가시키면 전류는
문턱전압을 넘어서는 시점부터 나타나기 시작한다.

-실험고찰
실험 1에서 드레인-소스 전압의 증가에 따라 전류는 곡선 형태로 증가하다가 일정한 값을
보였다. 즉, 핀치오프(Pinch off)가 된 다음에는 드레인 전압을 크게 해도 전류는 거의
일정하다. 그 이유는, 전류가 증가하면 채널에서의 전압강하가 커져서 핀치오프 점의 실
효적인 순방향 전압은 감소하기 때문에 유입전류도 감소하는 한편, 전류가 감소하면 채널
의 전압강하도 작아져서 유입전류는 결과적으로 증가하기 때문이다.
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