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[반도체공학]박막 재료의 표면처리 및 식각 실험

저작시기 2005.05 | 등록일 2006.02.27 한글파일 한컴오피스 (hwp) | 18페이지 | 가격 1,000원

소개글

실험예비보고서입니다
반도체 분야 보고서에 유용하실것입니다

목차

1. 실험제목
2. 실험목적
3. 실험내용
4. 실험방법
5. 실험이론
플라스마 [plasma]
Lihtography
반도체는 어떻게 만들어 지는가?
식각(Etching)
플래시 메모리( Flash EEPROM)
화학공학전공자가 반도체 산업에서 필요한 이유
6. 참고문헌

본문내용

2. 실 험 목 적
여러 가지 전기 및 전자기기에 사용되는 반도체 소자의 제조공정은 박막재료의 세가지 공정으로 나뉘어 지는데 첫째로 증착공정 둘째로 마스크의 패턴형성 그리고 셋째로 식각공정으로 나뉘어 진다. 이러한 공정 가운데서 중요한 공정은 박막의 식각공정으로서 마스크 패턴을 가지고 증착된 박막을 식각하는 것이다. 본 실험에서는 마스크에 의하여 형성된 패턴을 증착된 박막위로 전달하는 식각공정에 대하여 이해하고 그에 따른 박막의 표면과 두께의 변화등에 대하여 고찰하고자 한다.

5. 실 험 이 론
플라스마 [plasma]
고온에서 음전하를 가진 전자와 양전하를 띤 이온으로 분리된 기체상태로서 전하분리도가 상당히 높으면서도 전체적으로는 음과 양의 전하수가 같아서 중성을 띠는 기체.
원거리작용을 하는 쿨롱힘이 전하 사이에 작용하므로 근거리의 국부상태(局部狀態)보다는 먼 곳의 상태의 영향을 받아서 전체가 함께 움직이는 집단행동을 하는 특성을 지니고 있다. 1928년 미국의 I.랭뮤어가 전기방전시 생긴 이온화된 기체에 플라스마라는 개념을 쓴 것이 최초이다.
그리스어(語)의πλσμα, -ατos,τó 로부터 유래한 말로서 그 원래 뜻은 틀에 넣어서 만든 것, 조립된 것 등이다.집단행동의 특성이 말해주듯이 실제로 플라스마를 다루는 데는 외부에서 쉽게 조절된다고 하기보다는 플라스마 자체가 멋대로 행동하는 것이 보통이어서 원래 붙여진 이름이 잘못된 것이라는 견해도 있다. 고체 ·액체 ·기체(물질의 세 상태)에 이어 플라스마를 제4의 물질상태라 한다.
온도를 차차 높여가면 거의 모든 물체가 고체로부터 액체 그리고 기체 상태로 변화한다. 수만 ℃에서 기체는 전자와 원자핵으로 분리되어 플라스마 상태가 된다. 일상 생활에서는 플라스마가 흔하지 않으나 우주 전체를 보면 흔하다고 할 수 있다. 그것은 우주 전체의 99%가 플라스마 상태라고 추정되기 때문이다.
그 예로 형광등 속의 전류를 흐르게 하는 전도용 기체, 로켓이나 번개칠 때 기체 속에 섞여 있는 이온화된 기체, 북극 지방의 오로라, 대기 속의 전리층 등이 있으며, 대기 밖으로 나가면 지구 자기장 속에 이온들이 잡혀서 이루어진 밴앨런대(帶), 태양으로부터 간헐적으로 쏟아져 나오는 태양풍(太陽風) 속에 플라스마가 존재한다. 별 내부나 그를 둘러싸고 있는 주변 기체, 별 사이의 공간을 메우고 있는 수소 기체는 플라스마 상태이다.

참고 자료

http://www.forx.org/InfoPlaza/UploadFiles_Public/news17_4.pdf
http://blog.naver.com/qupixjae.do?Redirect=Log&logNo=7292247
http://100.naver.com/100.php?id=183890
http://blog.naver.com/youngchaip/80006766379
저자 한병성/박성진/이현수, <<반도체 공학>>, 동일출판사
저자 윤현민/이형기, <<반도체 공학>>, 복두출판사
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