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[sputter]sputter 종류와 mechanism

저작시기 2005.12 | 등록일 2006.02.26 한글파일 한컴오피스 (hwp) | 11페이지 | 가격 2,000원

소개글

재료공학관련 실험레포트입니다.
A+받은 자료이오니, 참고하시기 바랍니다.

목차

□ Sputter
● Sputtering(스퍼터링)

□ 스퍼터링의 장․단점

□ 스퍼터링 기구

□ Sputtering의 종류
● DC 스퍼터링 (2극 스퍼터링)
● 3극 스퍼터링
● RF 스퍼터링
● Magnetron 스퍼터링
● Unbalanced magnetron 스퍼터링
● 반응성 스퍼터링
● 혼합 스퍼터링

본문내용

물리 기상증착법은 원하는 박막 물질의 기판이나 덩어리에 에너지를 가하여 운동에너지를 가지는 해당물징이 물리적으로 분리되어 다른 기판에 쌓이게 함으로 박막층이 만들어지게 하는 방법을 물리 기상증착법(PVD)이라고 한다.
크게 스퍼터링(sputtering) 과 증발법(evaporation) 으로 나눌 수 있다.
● Sputtering(스퍼터링)
고체의 표면에 고에너지의 입자를 표면원자와 충돌시켜 고체 표면의 원자나 분자를 표면으로부터 제거하는 현상이다. removal of materials (atoms, ions, molecules) from solid surface (가속화된 양이온들의 침투에 의해 고체 표면의 마모에 의한 제거)
즉, Sputtering(이하 스퍼터링)은 높은 에너지(> 30 eV)를 가진 입자들이 target에 충돌하여 target 원자들에게 에너지를 전달해줌으로써 target원자들이 방출되는 현상이다. 만일 충돌하는 입자들이 양의 이온(positive -ion)이라면 cathodic sputtering이라고 부르는데, 대부분의 스퍼터링은 cathodic sputtering이다.
보통 스퍼터링에는 양의 이온이 많이 사용되는데, 그 이유는 양의 이온은 전장(electric field)을 인가해 줌으로써 가속하기가 쉽고 또한 target에 충돌하기 직전 target에서 방출되는 Auger전자에 의하여 중성화되어 중성 원자로 target에 충돌하기 때문이다.
VLSI의 금속 박막 증착에 많이 사용되어지며, 경우에 따라서 Si, SiO2 등의 박막형성에도 이용된다.

참고 자료

없음
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