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[화학실험]ALD공정의 기본원리를 이용한 박막제조 및 특성평가(final)

저작시기 2006.02 | 등록일 2006.02.02 한글파일 한컴오피스 (hwp) | 6페이지 | 가격 1,000원

소개글

ALD공정의 기본원리를 이용한 박막제조 및 특성평가에 대한 실험 파이널 레포트
입니다. 많은 도움 되시길 바랍니다

목차

1.실험목적
2.실험이론
3.반응기 개략도
4.실험순서
5.결과 및 고찰

본문내용

1.실험목적
원자층 단위 증착(Atomic Layer Deposition) 공정의 기본 원리를 이해하고 직접 실험을 통하여 박막을 만들어보고 그 특성을 분석하여 실제 연구에 응용할 수 있는 기본적인 능력을 배양하는 데에 본 실험의 목적이 있다.

2.실험이론
1)ALD(Atomic Layer Deposition) 공정
가)특성
ALD 기술은 CVD 기술과 달리 반응 원료를 각각 분리하여 공급하는 방식으로 한 cycle 증착 시에 표면 반응에 의해 1ML(monolayer) 이하의 박막이 성장하게 된다.
그림1. ALD의 증착 mechanism
ALD 기술에서의 반응은 그림 1,2에서 보는 바와 같이 먼저 A가 공급된 뒤 A 원소가 기판 위에 흡착하게 된다. 이 때 A 원료끼리의 흡착은 physisorption으로 이루어져 결합력이 약하기 때문에 쉽게 떨어질 수 있으며, 반면 기판과 흡착한 A 원소는 기판과 chemisorption으로 더 강한 결합을 하기 때문에 그 다음 단계인 purge 단계에서 physisorption한 반응 원료는 모두 떨어져 나가 제거되고 chemisorption한 A 원소는 흡착된 채로 남아 있게 된다. 이러한 chemisorption과 physisorption의 차이에 의해 ALD 기술에서 원자층 단위의 조절이 가능하게 된다. 이후에 AB 화합물을 만들기 위해 B를 공급하게 되면, B가 기판에 흡착되어 있는 A 원소가 서로 반응을 통해 A-B 결합이 이루어지게 되고 기타 carrier물질 등은 부산물로서 기상으로 빠져나가게 된다. 마찬가지로 이후에 purge를 통해 physisorption하고 있는 B는 모두 제거되고 monolayer만큼 성장하게 된다. 이와 같은 과정이 한 cycle로 구성되며 증착 속도는 ligand의 size 효과로 인해 보통 cycle 당 monolayer 이하로 나타나는 특성을 보인다.

참고 자료

없음
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