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[광통신]광통신 공학 실습

저작시기 2005.11 | 등록일 2006.01.13 한글파일 한컴오피스 (hwp) | 11페이지 | 가격 1,500원

소개글

광통신 실습에 대한 기초 이론 및 지식 관련

목차

Ge, si 다이오드의 특성
전기-광 변환소자 LED 특성
전기-광 변환소자인 LD의 의 특성

본문내용

다이오드는 재질에 따라 전위장벽(문턱전압)이 다 르다.
물론 전류량에 따라 전압이 다르지만 보통 SI는 0.7V정도이고, Ge 는 0.2~0.3V정도가 된다. 따라서 두 다이오드를 병렬로 연결하면 대부분 전류는 Ge DIODE를 통해서 흐르게 된다. 다만 Ge 다이오드의 경우 내부저항이 높기 때문에 정류용으로는 거의 만들지 않고 대부분 검파용.

※ P형 반도체는 +, 즉 정공이 많은 반도체이지만, 물체의 극성으로 따지자면, 중성.
한마디로 내부 분자결합구조가 전자가 결합되기 쉬운 상태라는 것.

※ N형 반도체는 -, 즉 전자가 많은 반도체입니다. 물체의 극성으로 따지자면, 이 역시도 중성. 한마디로 내부 분자결합 구조가 전자가 탈출하기 쉬운 상태.

이 두개의 반도체를 서로 접합시키게 되면, 접합부분에서 N형 반도체에서 빠져나온 소량의 전자가 P형 반도체로 이동, 안정화. 즉, 빠져나갈 놈은 빠져나가고 들어갈 놈은 들어가서 안정적으로 된다.
그러나 이렇게 서로 안정화되면서 나타나는 현상은, P형 반도체에는 전자가, N형 반도체에는 정공이 많이 생겼다. 이는, 중성인 물체에서 각각 -, + 성분이 더해 졌기 때문에 극성이 생겨버린다.
다시 말하면, 접합다이오드의 접합 부분에 P형 반도체에는 -형이, n형 반도체에는 +형의 성분이 생겨, P형 반도체에서 빠지기 쉬운 전자가 이 접합 부분을 통과하지 못하게 됩니다.
이 부분을 공핍영역이라 하는데, 여기에 생긴 전위차를 문턱전압이라고 한다.

참고 자료

광통신 실습 교재.
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