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[재료공학]X-ray발생원리 및 Hanawalt method

저작시기 2004.11 | 등록일 2006.01.09 | 최종수정일 2021.06.11 한글파일 한컴오피스 (hwp) | 4페이지 | 가격 1,300원

소개글

X-ray의 발생원리를 고찰하고 X-ray에서 중요한
Hanawalt method에 대해서 알아본다.

목차

X-ray 발생 원리

Hanawalt Method
1. Hananwalt Method 란?
2. ICDD card 와 색인서(Index book)
3. 동정(同定, Identification)의 방법

본문내용

X선의 발생은 광전효과의 반대과정이다. 광전효과는 에너지를 가진 빛이 전자를 발생시키는 것을 말한다. 그러므로 X선은 에너지를 가진 전자가 빛(전자기파)을 발생시키는 것이다. X선의 발생 장치는 위와 같다.
X선 발생장치는 전자를 발생시키는 음극, 전자가 도달하여 X선을 발생시키는 양극, 음극에서 발생된 전자를 가속시키는 엑스선관의 세 부분으로 나눌 수 있다. 전류에 의해 음극에서 발생된 열전자는 X선관의 음극과 양극 사이의 높은 전압에 의해 양극으로 가속된다. X선관은 진공으로 이루어져 있는데 이는 전자를 방해받지 않고 양극으로 이동시키기 위해서이다. 공기가 있으면 공기분자에 있는 전자에 의해 에너지를 잃으므로 양극에 도달할 수 없다.
양극은 전자가 이동하는 방향에 대해 약간 기울어져 있는데 이는 전자의 에너지 중 일부만이 X선으로 되고 대부분은 열로 발생되기 때문에 면적을 크게 하여 열이 발생하는 면적을 크게 하기 위해서이다. X선관의 전압, 즉 전자의 에너지에 따라 X선의 발생 비율이 달라지지만 보통 X선관에서 전자의 에너지 중 X선으로 변환되는 비율은 수% 정도로 아주 작다.

참고 자료

없음
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