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[박막공학]박막공정

저작시기 2004.02 |등록일 2005.12.29 파워포인트파일MS 파워포인트 (ppt) | 43페이지 | 가격 1,500원

소개글

박막 증착과 포토리소그래피 기술을 이용하여 원하는 형상의 회로를 형성하는 일련의 과정을 말함.

목차

개요
박막 증착
물리 기상 증착법
화학 기상 증착법
분자 빔 결정법

본문내용

박막 증착의 정의
증착하고자 하는 물질을 수 나노에서 수백 나노 두께로 특정 기판상에 올리는 일련의 과정을 말함.

박막 증착의 종류
물리 기상 증착법(Physical Vapor Deposition, PVD)

화학 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition, CVD)

분자 빔 결정법(Molecular Beam Epitaxy, MBE)

증착의 요구 조건
원하는 구조, 적은 이물질, 전기적·기계적 성질의 우수성을 가져야 함.
웨이퍼 또는 웨이퍼와 웨이퍼 간의 균일한 두께를 가져야 함.
좋은 step coverage를 가져야 함.
증착된 부분에 빈 공간(void)이 없어야 함.
평평하게 된 박막이 필요.

Step Coverage 평가 기준
AR < 0.5 이면, OK
0.5 < AR <1 이면, marginal
AR >1 이면, poor

물리 기상 증착법

정의
냉각기 기판(cooler substrate) 위에 증발 또는 sputtering을
사용하여 발생시킨 증기를 축적하여 필름을 성장 시키는 방법.

특성
증착 속도는 표면의 증발 흐름 속도에 비례

증기 생성 방법의 차이에 따라 두 가지 방법으로 분류됨.

금속의 증기를 사용하는 증발(evaporation) 증착법

물질에 물리적인 충격을 주는 방법인 Sputtering 증착법

참고 자료

없음
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