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[트랜지스터] BJT와 FET

저작시기 2005.09 | 등록일 2005.09.14 한글파일 한컴오피스 (hwp) | 18페이지 | 가격 1,000원

목차

BJT란?
베이스 바이어스회로
이미터 바이어스회로
전압분배기 바이어스회로
컬렉터 바이어스 회로
Current mirror 회로

본문내용

컬렉터 특성 곡선동작 구간 A-B
VCC를 VBB와 같을때까지 올리면 VBE와 VBC는 모두 forward바이어스(Saturation)이고, VCC가 증가하므로 비례적으로 IC증가하는 것을 알 수 있다.

③ 동작 구간 B-C
VCC > VB되면서 VBC는 역방향 VBE는 순방향 유지. VCC가 계속 증가해도 IC가 일정하게 유지. 이 구간(Active mode)에서 동작을 하게 하는 것이 중요

DC Load Line(직류 부하선)

베이스 바이어스 회로
한 개 전원 VCC를 사용하여 트랜지스터가 활성 영역에서 동작하도록 하는 것
안정도
온도증가시 변화
βDC증가 → IC증가 → RC 저항의 양단 전압차 증가(VC감소=VCE감소)
⇒ 그래프의 Q 점이 위로 이동

참고 자료

없음
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