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[반도체공정] 금속배선

저작시기 2005.06 |등록일 2005.06.29 한글파일한컴오피스 (hwp) | 2페이지 | 가격 500원

목차

1. COPPER DEPOSITION
2. METAL DEPOSITION

본문내용

2. METAL DEPOSITION
 
알루미늄이나 금 혹은 텅스텐 등의 금속은 소자에 전도층을 형성하는데 사용됩니다. 일반적으로 금속은 이베포레이션(Evaporation:증류)과 스퍼터링(Sputtering)등의 두 가지의 다른 방법으로 주입되는데, 이것들은 박막 증착법의 범주에 속하는 것입니다.

외부로 부터 소자 구조를 연결시키기 위해서는 금속층의 증착과 패터닝이 요구되는데, 복잡한 IC는 전기적으로 고립된 3개 때로는 4개의 금속화된 층을 가지고 있습니다. 금속층의 성장시 유전층과 점착성이 좋아야 합니다. 박막은 물질의 상호 확산을 막고 오염으로 부터 회로나 소자를 보호하기 위해 증착되게 됩니다.

이베포레이션(Evaporation): 이베포레이션은 금속재료를 증착시키기 위해 고진공(5x10-5 ~ 1x10-7torr)에서 전자빔이나 전기 필라멘트를 이용해 보트를 가열하여 보트위에 금속을 녹여 증류시키는 것입니다. 이때 증류된 금속은 차가운 웨이퍼 표면위로 응축되는 것입니다.

참고 자료

없음
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