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[반도체공정]식각공정

저작시기 2005.06 |등록일 2005.06.29 한글파일한컴오피스 (hwp) | 3페이지 | 가격 1,300원

소개글

반도체 공정중 식각공정에 대한 기초를 공부하기 위해서 대학교에서 배운 내용을 바탕으로 정리 해놓았습니다.

목차

습식식각
건식식각

본문내용

반도체 IC의 제조에 있어 기판 위에 형성되어 있는 층(산화 공정이나 박막증착 공정의 결과로)을 선택적으로 제거하는 공정을 사진식각(photolithography) 공정이라 한다. 이중 사진공정은 마스크(mask) 상의 기하적 모형(pattern)을 반도체 웨이퍼의 표면에 도포되어 있는 얇은 감광재료(photoresist)로 옮겨 놓는 것을 말한다. 이 모형들은 다음 단계인 식각(etching) 공정때 웨이퍼 표면과 감광재료 사이에 놓여 있는 박막층을 식각으로부터 보호해 주는 역할을 한다.
사진공정은 크게 광 노광기술(optical lithography)과 방사 노광기술(radiation lithography)로 구분되며, 광 노광기술에서는 자외선(UV)이, 방사 노광기술에서는 X-선이나, 전자빔 또는 이온빔 등이 사용된다. 사진공정에서는 광화학적(photochemical) 반응이 회분식 반응기들에서 일어나므로 사진공정은 반응공학적인 측면에서 볼 때 불균일 회분식 반응계로 볼 수 있다.
사진공정을 통해 형성된 감광제 모형들을 마스크로 사용하고 마스크 아래에 있는 부분과 외부로 노출된 부분 사이의 화학반응이 전혀 다르게 함으로써 마스크로 보호되지 않는 부분들이 공정이 진행됨에 따라 떨어져 나가게 하는 기술을 식각 공정이라고 한다. 이러한 식각공정에 의해 확산이나 이온 주입될 영역이 결정되어지고 또한 도선들의 연결 작업이 이루어지는 것이다. 본 절에서는 이러한 사진식각 공정 중 특히 식각 공정에 대하여 개괄적으로 살펴보기로 한다.

참고 자료

없음
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