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[반도체공정]사진공정

저작시기 2005.06 |등록일 2005.06.29 한글파일한컴오피스 (hwp) | 4페이지 | 가격 1,000원

소개글

반도체 공정중 photo공정에 대한 기초를 공부하기 위해서 대학교에서 배운 내용을 바탕으로 정리 해놓았습니다.

목차

■ HMDS
■ Spin Coat
■ Soft Bake
■ Alignment &Exposure
■ Post exposure Bake
■ Develop
■ Inspection
■ Hard Bake

본문내용

사진공정은 마스크상에 설계된 패턴을 공정제어 규격에 웨이퍼 상에 구현하는 기술.
이를 위해 패턴이 형성된 마스크를 통하여, 특정한 파장을 갖고 있는 빛을 광감응제가 도포되어 있는 웨이퍼상에 노광 시켜 광화학 반응이 일어나게 되며, 다음 현상 공정시 화학반응에 의해 패턴형성을 한다. 형성된 감광막 패턴은 후속공정인 식각 또는 이온주입시 barrier 역할을 하게되어 최종적으로 chemical이나 식각용 O2 플라즈마에 제거된다.

어찌 보면 가장 단순한 공정일 수 있는데 사실은 까다로운 공정입니다. 빛에 반응하는 광감응제(Photo resist)를 반도체에 입히고 그 위에 원하는 패턴이 형성되어 있는 마스크를 통해서 빛을 쬐어 주어 노광시켜 광화학반응이 일어나게 되는데 반응한 물질을 현상(develop)을 통해 제거 하면 원하는 모양의 패턴을 만들어 내는 것입니다. 앞에 그림처럼 빛에 반응하는 것에 따라 양성과 음성으로 나누게 됩니다.
앞 그림에서처럼 빛에 노출되어 진 부분이 남는 것을 음성(negative) 감광막이라고 하고, 노출되지 않는 부분이 남는 것을 양성(positive) 감광막이라고 합니다. 그래서 어떤 형태로 작업을 할지가 결정이 되면 어떤 PR(Photoresist)를 사용할 지를 결정하게 됩니다. PR에 대해서는 나중에 다시 얘기하기로 하고 우선 전체적인 Photo Lithography 과정을 살펴보겠습니다.
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