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[반도체공정] MASK 제작

저작시기 2004.06 |등록일 2005.06.29 한글파일한컴오피스 (hwp) | 6페이지 | 가격 1,000원

소개글

마스크제작하는 방법기술

목차

1. Mask(reticle)의 구조
2. Mask 제작
3. Binary Intensity Mask
4. 위상 반전 마스크(Phase Shift Mask)

본문내용

(1) Blank Mask
Quartz위에 1000�정도의 chrome층이 형성되어 있으며, 그 위에 resist가 coating 된다. 이때 resist coating thickness uniformity는 mask의 CD uniformity에 크게 영향을 미친다.
(2) Writing
MEBES(electron beam), ALTA(laser)등의 장비로 CAD data를 mask위의 resist에 전사 하는 과정이다. 이 때 전사된 resist는 develop을 통해 형상화된다. 위의 두 writing 장비의 특징을 살펴보면, MEBES의 경우 resolution이 뛰어나지만 writing 시간이 길며, ALTA는 writing 시간이 짧고 defect 발생량이 적은 대신 resolution은 떨어진다.
(3) Chrome Wet Etching
Develop후 생성된 resist 패턴을 막으로 하여 chrome을 wet etching한다. 패턴의 크기가 작은 경우에는 chrome을 dry etch하기도 한다.
(4) Inspection / Cr repair
Resist strip 및 cleaning이 끝나면 defect를 찾고 이를 repair한다. Defect는 대부분의 경우 발생하며 이를 모두 제거할 수 있을 경우에만 실제 사용가능한mask가 만들어 진다.
(5) Clean / Pellicle / Inspection
Repair 후에 cleaning을 실시하고 난 후 chrome 패턴을 particle등으로부터 보호하기 위해 pellicle을 붙이며, 최종적으로 마스크 검사를 실시한다.

참고 자료

없음
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