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[반도체] VLSI 대규모 집적 회로 생산

저작시기 2005.04 |등록일 2005.06.24 한글파일한컴오피스 (hwp) | 13페이지 | 가격 500원

소개글

전자과 분들에게 많은 도움이 될겁니다!!!

목차

1) 실리콘 웨이퍼 제조
2) Epitaxy 공정
3) Oxidation
4) Diffusion
5) Ion Implantation
6) Lithography
7) Etching(식각공정)
8) Deposition (증착)
9) Metallization
10) 마무리 공정 및 테스트

본문내용

7) Etching(식각공정)

뜻 : 감광막 패턴이 형성된 웨이퍼의 표면(PR+SiO2)을 선택적으로 제거하는기술
공정의 종류
Wet Etching( 습식식각) :
뜻 : 용액에 담금.
특징 : 모든 방향에서 똑같이 식각됨.
Dry Etching ( 건식식각):
뜻 : 이온충격의 물리적 방법이나. 플라즈마 속에서 화학작용으로 에칭을 함.
특징 : 정확도가 뛰어남.

Dry Etching (Plasma)

보호막을 선택적으로 입힌 웨이퍼를 진공 반응로에 넣고 반응기체를 유입하여 노출된 표면을 에칭

8) Deposition (증착)

뜻 : 재료를 증발시켜 원하는 표면에 박막(thin film) 을 형성시키는 방법

종류
CVD (Chemical Vapor Deposition) :
뜻 : 원하는 증착막 재료의 가스를 기판 표면 위에 화학반응을 일으켜
형성
예 : polysilicon, SiO2, Si3N4,Al2O3
PVD (Physical Vapor Deposition) : 원하는 증착막 재료의 가스를 기판 표면 위에 물리반응으로 형성 (metallization)

9) Metallization

뜻 : 실리콘 웨이퍼 위의 소자들을 상호연결하여 회로기능을 갖도록 하는 것.
공정 : PVD
재료 : 알루미늄(Al)
*실리콘과 전기접촉저항이 낮음
*전기전도도가 뛰어남
*패턴 형성이 쉬움
*실리콘 산화물과 접촉성 우수
*금속막이 부식되지 않음

참고 자료

반도체 공학
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