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차세대 메모리

저작시기 2005.05 |등록일 2005.06.15 한글파일한컴오피스 (hwp) | 14페이지 | 가격 3,000원

소개글

저는 제가 사용한 레포트 그대로 올립니다.

목차

1. 이상적인 비휘발성 메모리
2. FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory)
3. MRAM
4. PRAM
5. PoRAM (Polymer RAM)
6. ReRAM (Resistive RAM) SET-RAM
7. NFGM (Nano Floating Gate Memory)

본문내용

1. 이상적인 비휘발성 메모리
최근 정보통신 산업의 눈부신 발전으로 인하여 각종 메모리 디바이스의 수요가 급증하고 있다. 현재 메모리는 크게 두 종류가 있는데 하나는 휘발성 메모리이고, 다른 하나는 비휘발성 메모리로 분류된다. 휘발성 메모리는 빠른 데이터 전송을 실현할 수 있는 반면 전원이 없으면 정보를 잃어버린다. 반면에 비휘발성 메모리는 전원이 없어도 장시간 정보를 저장할 수 있지만, 속도에 한계가 있다. 따라서 현재 대부분의 컴퓨터 시스템은 두 가지 메모리를 같이 사용하고 있다. 하지만, 현재 시장 규모가 빠른 속도로 커지고 있는 휴대용 단말기, 각종 스마트 카드, 전자 화폐, 디지털 카메라, 게임용 메모리, MP3 플레이어 등에 필요한 메모리 디바이스는 전원이 꺼지더라도 기록된 정보가 지워지지 않는 “비휘발성”을 요구하고 있다. 비휘발성 메모리를 이용하면 입력된 정보가 자동적으로 저장 될 뿐만 아니라 ROM (read only memory)의 내용을 바꾸어 쓸 수 있고, 전원을 끊더라도 정보가 지워지지 않으며 또한 전원을 넣었을 때 즉시 작동하는 TV 감각의 PC등을 구현할 수 있기 때문에 멀티미디어 사회에서 요구되는 다양한 조건들을 만족할 수 있다.

참고 자료

없음
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