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반도체 결정의 성장

저작시기 2005.05 | 등록일 2005.05.20 한글파일 한컴오피스 (hwp) | 6페이지 | 가격 900원

소개글

반도체 결정의 성장을 요약 하였습니다.

목차

1. 시작 시료
2. 단결정 Ingot의 성장
3. 웨이퍼(Wafer)
4. 도핑(Doping)
5. 참고 문헌

본문내용

Ⅰ. 반도체 결정의 성장

오늘날 Integrated Circuit의 제작은 1950년대 초기와 중기의 상당히 성공적으로 이루어진 순수한 Si의 성장 결과 이다. Device-Grade Semiconductor 결정은 단결정이 크고 극도로 정밀한 한계 내에서 순도가 조절되어야 한다. 현재 Device에 쓰이고 있는 Si결정은 불순물 농도가 100억분의 1이다. 이와 같은 순도를 얻으려면 제조과정의 각 공정에서 주의 깊은 처리 및 취급이 필요하다.


1. 시작 시료
Si결정에 사용되는 천연원료 Si은 지구상에서 가장 많이 존재하는 원소 중 하나이며 주로 산소와 결합하여 Silicon Dioxide(SiO2)로 존재한다. Si 결정의 제작은 먼저 화학적인 방법으로 SiO2를 최대한 정제해야 한다.


2. 단결정 Ingot의 성장
EGS는 고순도이긴 하지만 아직 다결정이기 때문에 일반적으로 Czochralski 방법이라 불리는 성장 과정을 통해 Si Ingot 또는 Boules로 변환된다.

참고 자료

Ben G. Streetman and Sanjay Banerjee, "Solid State Electronic Devices,“5Th ed., Prentice Hall, USA (2000).
S.O.Kasap(박정호외 4인 옮김), "전자재료 물성 및 소자,“2Th ed., McGraw-hill, Korea (2002).
ADIR BAR-LEV(김수원 옮김), 반도체 디바이스, 회중당, (1996).
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