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[전자기학] 트랜즈시터 c-e회로와 플레밍의 법칙

저작시기 2005.05 | 등록일 2005.05.13 한글파일 한컴오피스 (hwp) | 7페이지 | 가격 500원

목차

1.실험 목적
2.실험 이론
3.실험방법
4.실험 요약

본문내용

1.실험 목적
*P-N-P 트랜지스터의 정특성곡선을 구하고 그 동작 원리와 증폭작용을 이해한다.
*플레밍의 법칙 실험기를 통해 전자력의 존재를 확인하고 또 그 방향과 크기를 알 수 있다.

2.실험 이론
Ⅰ.실험A(트랜지스터)
1) 트랜지스터의 구조
트랜지스터는 두 개의 n형층과 한 개의 p형층, 또는 두 개의 p형층과 한 개의 n형 층으로 이루어진 3층 반도체 디바이스로서 전자를 n-p-n형, 후자를 p-n-p형 트랜지스터라 한다. 그림 1의 트랜지스터 구조에서 보는 것처럼 트랜지스터의 가운데 층인 베이스 B(base)는 트랜지스터 전체 두께의 대략 150분의 1 정도로 매우 얇고(0.02nm 정도) 도우핑 정도도 양 외각층보다 10분의 1 또는 그 이하가 될 정도로 낮다.

참고 자료

없음
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