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[반도체공학] Gain & I-V 특성

저작시기 2005.04 |등록일 2005.05.11 한글파일한컴오피스 (hwp) | 4페이지 | 가격 1,000원

목차

Souce
Gate
Drain
Gain & I-V 특성

본문내용

Souce
게이트 및 드레인과 함께 FET나 유니폴라의 세지역의 하나, 불순물의 재료(N형 : “P", "AS", P형 : ”B")

Gate
1. 하나의 출력로의 값이 몇 개의 입력로 논리 값으로 결정되는 논리회로. AND게이트, NAND게이트, OR게이트 및 인버터의 조합으로 실현할 수 있다.
2. 전계 효과 트랜지스터(FET)에서 전류 통로의 컨덕턴스를 제어하는 전극.
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