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[전자전기실험] 기초 전자전기실험(중앙대2학년2학기)#5.예비보고서

저작시기 2004.10 |등록일 2005.02.04 한글파일한컴오피스 (hwp) | 4페이지 | 가격 1,000원

목차

1. 목 표

2. 배경이론 및 요약

3. 각 회로에 대한 PSPICE 시뮬레이트

4. 예비보고사항

본문내용

또 si diode의 parameter η는 diode 전류 iD 가 보통일 때 약 2이고, iD가 증가함에 따라 1에 가까워지 며, Ge diode의 parameter η는 1로 보면 된다. 전압전류관계식을 통해 diode의 전압 전류 특성을 보면 diode양단에 가해지는 전압 vD가 (순방향으로, 즉 anode쪽이 cathode쪽보다 더 높도록) threshold(cut-in/turn-on)voltage Vtd(si diode에 대해서는 0.7V, Ge diode에 대해서는 0.2V)미만일 때는 diode전류 iD가 미미하지만 vD가 VTD이상이 되면 iD가 급격히 증가함을 알 수 있다. 이러한 diode의 특성을 이용해서 여러 가지 유용한 회로를 구성할 수가 있다. 가령 예를 들면 입력전압이 어떤값 이상/이하가 되는 부분을 제거하는 clipping 회로나 또는 어떤 상한과 하한으로 제한되게 조여주는 clamping회로가 있다. 또한 diode의 비대칭적인 전압전류관계특성을 이용한 다른 회로로는 half/full-wave voltage doubler가 있다. 이들 회로에 대한 PSPICE를 이용한 회로 구성과 그 simulate에 대한 결과 파형 은 아래 첨부하였다. 이를 보면 clipping, clamping회로에서 diode의 방향에 의해 그 만큼의 전압이 제한되 어 깎여 나가는 모습을 관찰할 수 있다.보통 diode는 역방향으로 전압이 걸리더라도 그에 따라 흐르는 역방향 전류는 무시할 만큼 작은데, 그 역 방향전압이 어느 한계치(항복전압, 즉 breakdown voltage Vzk)이상이 되면 역방향 전류가 급격히 증가하 며, 급기야 diode내부에서 소비되는 전력에 기인한 열 때문에 파손되거나 심각한 사태(avalanche)가 벌어질 수 있다.
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