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[메모리이론] FeRAM(Ferroelectrics Random Access Memory)

저작시기 2004.10 |등록일 2005.01.27 한글파일한컴오피스 (hwp) | 14페이지 | 가격 2,500원

소개글

1. 서론
2. FRAM의 도입
3. 이상적인 비휘발성 메모리, FRAM
4. 전기분극 벡터의 중요성
5. 잔류분극을 이용한 2진법 메모리, FRAM
6. FRAM 커패시터로서 요구되는 강유전 박막의 물성
7. 대표적인 강유전 박막과 신소재의 개발
8. 강유전재료가 가지는 문제점

목차

1. 서론
2. FRAM의 도입
3. 이상적인 비휘발성 메모리, FRAM
4. 전기분극 벡터의 중요성
5. 잔류분극을 이용한 2진법 메모리, FRAM
6. FRAM 커패시터로서 요구되는 강유전 박막의 물성
7. 대표적인 강유전 박막과 신소재의 개발
8. 강유전재료가 가지는 문제점

본문내용

8. 강유전재료가 가지는 문제점

강유전재료가 가지는 기본 물성을 살펴봄으로써 차세대 비휘발성 메모리로서 가장 유망한 FRAM 디바이스의 작동 원리를 간략히 설명하였다. 다음으로 FRAM 디바이스에서 핵심이 되는 강유전 박막 커패시터가 가져야 할 조건들을 살펴보았고, FRAM 커패시터로서 적합한 몇 가지 강유전 박막계를 최근의 발전을 중심으로 소개하였다.
향후 초고집적, 초고속 FRAM 디바이스 개발과 관련하여 중점적으로 연구개발이 진행되어야 할 몇가지 문제들을 지적함으로써 이 글을 마치고자 한다. DRAM과 마찬가지로 FRAM 메모리 디바이스도 초고집적화에 따라 향후 커패시터의 스케일이 초미세화 되어갈 것이다. 이에 따라 강유전 물성의 열화 (degradation)가 현저하게 일어날 것인데, 이러한 열화는 많은 경우 박막과 전극의 계면에서의 여러 가지 화학적, 구조적 결함들에 기인한다고 알려져 있다. 따라서 초소형화 (궁극적으로 나노미터 스케일화)에 따른 결함 발생을 극소화할 수 있는 혁신적인 공정들이 기존 DRAM 초고집적 공정기술을 바탕으로 개발되어야 할 것이다. 비록 결함들에 기인하는 문제들을 극복하였다 하더라도 스케일이 나노화 됨에 따라 본질적으로 일어나는 하나의 중요한 문제가 초상유전(super-paraelectric) 효과이다. 이는 스케일의 축..
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