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[반도체공학] SOI(Silicon On Insulator) 조사 (파워포인트)

저작시기 2004.12 |등록일 2005.01.24 파워포인트파일MS 파워포인트 (ppt) | 15페이지 | 가격 500원

소개글

대학원 수업을 들으면서 텀페이퍼 발표자료로 작성한 내용입니다.

반도체의 소형화 문제점을 해결하기 위한 소자 중 하나인 SOI에 관해서 기본적인 내용을 다루었습니다.

반도체공학 공부하는 학생들에게 도움이 되리라고 생각합니다.

목차

Introduction
SOI의 개발역사
SOI의 응용범위
SOI의 장점과 단점

본문내용

Silicon On Insulator (SOI)
부하 캐패시턴스 발생으로 인한 소자속도 저하문제의 대책으로 연구
스피넬(MgAl2O4), 사파이어(Al2O3) 같은 절연체 기판 위에 집적회로 제작
두 개의 실리콘 층 사이에 절연체가 끼여있는 형태

(a) SOI-MOS capacitor structure and (b) capacitors model.

일반적으로 Substrate층과 Insulator층 사이에 형성된 캐패시턴스(Csub)가 다른 층에 형성된 캐패시턴스보다 크다.

Silicon Film층과 Gate Oxide층 사이에 발생하는 부하 캐패시턴스(Coxf)가 감소 → 소자의 동작속도 한계 해결

참고 자료

[1] sonnenberg, V., Martino, J.A., "SOI technology characterization using SOI-MOS capacitor", Solid-state electronics, v.49 no.1, pp.109-116(2005)

[2] Takato, H., Sunouchi, K., Okabe, N., Nitayama, A., Hieda, K., Horiguchi, F., Masuoka, F., “High performance CMOS surrounding gate transistor (SGT) for ultra high density LSIs”, IEEE Transactions on Electron Devices, v.38, 573 (1991)

[3] 이성재, 장문규, "실리콘 나노전자소자의 연구동향", 물리학과 첨단기술 June 2003, 한국물리학회, pp.17-28(2003)
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