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[반도체공학] 접합 소자 (Junction Devices) - Diode, BJT

저작시기 2005.01 |등록일 2005.01.24 파워포인트파일MS 파워포인트 (ppt) | 36페이지 | 가격 500원

소개글

대학원 세미나를 위해서 작성한 파일입니다.

접합소자의 기초 정전기학과, 가장 기본적인 접합 소자인 다이오드, 그리고 접합 트랜지스터인 바이폴라트랜지스터(BJT)의 기초 부분을 다루고 있습니다.

많은 도움이 되길 바랍니다.

목차

1부. pn-junction electrostatics
pn 접합 정전기학

2부. pn-junction diode
pn 접합 다이오드

3부. BJT 기초

본문내용

BJT의 동작 파라미터
이미터 효율(emitter efficiency) 총 이미터 전류는 일정하게 유지 반면, E-B 접합을 가로질러 주입된 정공전류를 증가시키면 전자전류 감소 & 총 전류 이득 증가 전류이득은 이미터 효율을 1에 가깝게 함으로써 최대화된다.

베이스 전송률(base transport factor) 베이스에 주입된 소수캐리어 중에서 성공적으로 베이스의 준중성폭을 가로질러 확산하고 컬렉터로 들어가는 소수캐리어의 비율 베이스 전송률이 1에 접근할 때 최대증폭이 일어난다.

베이스공통 직류전류이득 베이스공통 회로에 직류전류(DC)를 인가할때 얻어지는 전류이득값
이미터공통 직류전류이득 이미터공통 회로에서 얻어지는 전류이득값

참고 자료

Pierret, "Semiconductor Device Fundamentals"
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