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[공학재료] 반도체제조과정

저작시기 2004.10 |등록일 2004.12.25 한글파일한컴오피스 (hwp) | 5페이지 | 가격 800원

목차

1. Thermal Oxidation
2 Diffusion
3. Rapid Thermal Processing
4. Ion Implantation
5. chemical vapor deposition (CVD)
6. Photolithography
7. etching
8. Metallization

본문내용

1. Thermal Oxidation
많은 제조과정은 화학적 반응을 증가시키기 위해 wafer의 열처리과정이 포함된다. 중요한 예가 Si의 열적산화과정이다. (SiO2형성)
이것은 높은 온도까지 올리기 위해 깨끗한 실리카튜브위에 wafer 묶음을 올린다. dry o2나 h2o같은 산소를 포함한 기체를 대기압으로 튜브속으로 유입시킨다. 그리고 반대편 끝에서 흘러나오게 한다.
전통적으로 horizontal furnace를 사용했으나 근래에는 vertical furnaces를 주로 사용한다. 오염을 막기 위해 아래쪽으로 하여 실리카 wafer위에 Si wafer 묶음을 올려놓는다. 그러면 wafer는 furnace 안으로 이동된다. 가스는 위에서 흘러들어가 아래로 나온다. 산화중 일어나는 모든 반응은
Si +O2 -> SiO2
Si + 2H2O -> SiO2 + 2H2
이 산화과정은 Si-SiO2 표현에서 확산을 통해 진행된다.

2 Diffusion
다른 온도의 공정은 IC제작에서 광대하게 사용되어지는 불순물의 온도적 확산이다. B,P,As 와 같은 Dopant는 높은 온도에서의 확산으로 인하여 일반적으로 기체나 증기로 사용된다. Si에 용해되는 불순물들의 수는 온도의 함수에 의존적이다. 불순물들은 일반적으로 높은 농도로 표면 근처에서 확산을 통하여 운송된다.
D=D0 exp-(Ea/KT)
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