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[반도체공정] 산화막 성장기구( Oxidation growth mechanism )

저작시기 2004.12 |등록일 2004.12.13 한글파일한컴오피스 (hwp) | 13페이지 | 가격 500원

소개글

반도체 소자 및 박막을 응용한 기능성 소자의 제작의 기본이 되는 다양한 산화물 박막의 제작 공정의 진행순서 및 기본원리를 이해하고, 그 특성을 실험을 통하여 숙지한다. 본 실험은 습식 산화법을 기본으로 하여 이론적 모델에 의한 결과와 실험결과를 비교, 고찰해 본다. 또 이전 실험의 건식 산화법과도 비교해 본다.

목차

1.실험목적
2.이론적배경
3.실험방법
4.실험결과및고찰
5.결론
6.참고문헌

본문내용

2. 이 론 적 배 경
(1) Dry Oxidation (건식 산화) : Si (solid) + O2 (gas) → SiO2 (solid)
물을 증발시켜 수증기를 이용해 산화막을 성장시키는 방법으로 성장속도가 빨라 두꺼운 산화막 성장 등에 사용된다.

(2) 산화막(Silicon Oxide) 용도
① Isolation (field Oxide, Inter-Metallic Dielectrics, 층간 절연층)
② diffusion Mask (Ion Implant or Diffusion)
③ Surface Passivation
④ Functional Insulator, 즉 Dielectrics로
(Gate Oxide, Capacitor Dielectrics, Tunneling Oxide)
○ Dry oxidation : 2nd Pad Oxidation , 2nd Gate Oxidation 등 두께가 얇고 균질한 산화막의 성장시 사용.
(3) 산화공정에 영향을 주는 인자들
1) Temperature (온도)
furnace 온도가 상승하면 확산계수의 증가로 인해 oxide 성장속도가 증가.
2) Pressure (압력)
furnace의 압력이 높으면 oxide 성장속도가 증가한다.
5) 첨가가스
[ 다른 비율의 O2/HCl 혼합 가스를 사용한 경우의 산화 속도 ]
Dry oxidation에서 gas 중에 Cl의 양이 많아지면 oxide 성장속도가 빨라진다.
Halogenic Oxidation

참고 자료

6. 참 고 문 헌
반도체 공정교육 서울대학교 반도체 공동연구소 1998
반도체 소자 분석 및 실습 박종식 대영사 2002
반도체 설계 이야기 한국과학기술원 시그마프레스 1999
반도체 소자의 이해 김원찬 대영사 1999
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