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[전자] 트랜지스터

저작시기 2003.09 |등록일 2004.09.09 한글파일한컴오피스 (hwp) | 18페이지 | 가격 500원

소개글

트랜지스터 레포트 자료입니다...당근 A++ 자료..

목차

제11장 트랜지스터의 특성
1. 증폭의 원리
2.종류
3.특징
4.기호

본문내용

1) PNP형 TR의 동작을 설명하세요..
PNP 트린지스터는 크게 양극성 트랜지스터와 단극형 트랜지스터로 분류된다. 흔히 트랜지스터라고 하면 양극성 트랜지스터를 의미한다. 양극성 트랜지스터는 기본적으로는 2개의 p-n 접합의 결합으로 구성되는데, n 또는 p 영역이 2개의 p-n 접합에 공통적이기 때문에 그림과 같이 각각 p-n-p형의 트랜지스터 또는 n-p-n형의 트랜지스터가 된다. 전극은 이미터, 베이스 및 컬렉터라고 한다. p-n-p형의 n영역과 p-n-n형의 p영역은 베이스 영역이라고 한다. 트랜지스터에 전압이 가해지면 한 p-n 접합은 순방향(forward di-rection)으로 바이어스되고 다른 p-n 접합은 역방향(reverse direction)으로 바이어스된다. 전류는 순방향으로 바이어스된 p-n 접합을 통해서 흐른다. 이때에 전자는 n형의 영역에서 베이스 영역으로 흘러 들어가고 홀(hole: 正孔)은 베이스 영역에서 n형의 영역으로 흘러 들어간다. 이 접합을 이미터-베이스 접합(emitter-base junction)이라고 하는데, 이때에 이미터가 n형의 영역이다. 베이스로 들어가는 전자는 역방향으로 바이어스 된 p-n 접합 쪽으로 확산된다.

참고 자료

없음
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