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[반도체] 반도체 메모리의 종류별 특성과 기술발전, 향후추이

등록일 2004.06.23 한글파일한컴오피스 (hwp) | 21페이지 | 가격 1,000원

소개글

반도체 메모리의 종류별특성과 기술을 다 설명하였고 메모리의 시장현황과...향후 추이등 메모리 전반에 관한 사항을 모두 정리 하였습니다.

목차

1. 메모리에 대한 기본적인 이해

2. RAM의 종류와 특성
1) 사용되는 곳에 따른 분류
2) 형태에 따른 분류
3) ROM(Read Only Memory)별 특성
4) RAM(Random Access Memory)별 특성

본문내용

플래시 메모리 기술의 발전은 코드 저장용과 데이터 저장용의 두가지 방향으로 이루어질 것이다. 코드 저장용 플래시 메모리는 기존의 DRAM 및 SRAM 등과 같이 고속화, 저전압화의 요구에 따라 발전할 것이다. 데이터를 읽거나 쓰는 속도에 있어서, 현재 비동기 제품의 경우에는 100ns에서 50ns 까지 발전하고, 향후에는 동기화될 것으로 전망된다. 휴대폰 등의 이동 단말기는 저전력을 소모하는 제품을 필요로 하기 때문에 이후에 1.0V 이하의 제품 개발이 요구된다. 또한 플래시 메모리의 수요가 급증하고 공급업체가 많아지면서, 플래시 메모리의 시장이 공급자 중심에서 사용자 중심의 시장으로 바뀜에 따라 사용자의 요구에 따라 다양한 기능을 갖는 제품을 제공하는 것이 필요할 것이다.플래시 메모리의 시장 형성은 1990년대 초반에는 1M, 2M 등 저용량 제품 위주로 이루어졌으며, 주용 응용부분은 PC BIOS (Built-In Operating System)용 등의 EPROM 대체용이었다. 그런 후에, 1990년대 후반에는 인터넷, 휴대 전화 등의 유무선 통신의 급속한 보급으로 8M, 16M 등의 제품 수요가 증가하게 되었다. 이와 같이, 1990년대의 플래시 메모리 시장은 시스템 유틸리티를 위한 시스템 코드 저장용 위주로 성장을 지속하고 있다.
플래시 메모리의 개발과 생산은 세계 주요 반도체 업체간에 공동 개발 또는 위탁 생산이라는 전략적 제휴를 통해 이뤄지고 있다. NOR형 플래시 메모리는 미국 인텔과 일본 샤프 그리고 미국 AMD와 일본 후지쯔의 제휴가 대표적이며 NAND형 플래시 메모리는 일본 도시바와 삼성 전자가 제휴해 기술개발을 하고 있다.

참고 자료

없음
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