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[전자회로실험] 증가형 MOSFET의 단자 특성과 바이어싱

등록일 2004.05.28 한글파일한글 (hwp) | 12페이지 | 가격 700원

소개글

오아캐드를 이용하여 회로와 파형을 꾸몄습니다.

목차

[목적]
[예비지식]
[준비]
[기기및부품]
[실험]
[피스파이스 파형]

본문내용

증가형 MOSFET의 단자 특성과 바이어싱

[목적]
1) 포화 영역에서 동작하는 증가형 금속-산화물 반도체 전계-효과 트랜지스터(MOSFET) 의 단자 특성을 실험을 통해 이해한다.
2) 증가형 MOSFET를 포화 영역에서 안정하게 동작시키기 위한 바이어싱 회로를 실험을 통해 이해한다.
[예비 지식]

◎ 증가형 MOSFET의 물리적인 구조와 회로 기호
○물리적인 구조
그림 13.1에 -채널 증가형 MOSFET(약칭하여 NMOS)의 물리적 구조를 나타냈다. “증가형” 및 “-채널”이라는 이름의 의미는 곧 분명해질 것이다. 그림으로부터 알 수 있듯이, 이 트랜지스터는 형 기판(substrate) 위에 제조되는데, 여기서 형 기판은 소자(집적 회로인 경우에는 모든 회로)의 지지대 역할을 하는 단결정 실리콘 웨이퍼이다. [기판은 몸체(body)라고 불리기도 한다.] 그림에 소스(source)와 드레인(drain) 영역으로 표시되어 있듯이, 고농도로 도핑된 두 개의 영역이 기판에 만들어져 있다.
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