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[전자회로] mosfet pspice

등록일 2004.05.03 한글파일한글 (hwp) | 15페이지 | 가격 3,000원

소개글

정말 열심히 한것입니다.
도움이되기를..

목차

1. N-type enhancement MOSFET의 I-V 특성
➀Triode Region
➁Saturation Region

2. P-type enhancement MOSFET의 I-V 특성
➀Triode Region
➁Saturation Region
➂Side Effect

3. MOSFET Current Mirror
➀NMOS Current Mirror
➁PMOS Current Mirror

4. CMOS Inverter의 VTC 특성
➀VTC 특성
➁Dynamic Operation

*참고문헌

본문내용

1. N-type enhancement MOSFET의 I-V 특성

위는 NMOS의 전압-전류 특성을 측정하기 위해 만든 회로이다. 이 특성곡선은 일정한 값에 따른 와 의 관계를 나타낸 것이다. 우선 위의 그래프를 분석하기 위해서는 의 값을 알아야 하는데 가 5V일 때 saturation region이 시작되는 곳이 가 약 2V이므로 에서 가 약 3V임을 알 수 있다.

위는 datasheet의 일부를 발췌한 것인데 threshold voltage가 최소 2V에서 최대 4V로 위의 약 3V라고 추정한 결과가 일치함을 알 수 있다.
위의 그래프에서 왼쪽의 전류가 전압에 따라 상승하는 부분을 Triode Region이라 하고, 전압의 증가에 따른 전류의 변화가 거의 없는 부분을 Saturation Region이라 한다. 그리고 위에서 볼 수 있듯이 가 threshold voltage인 3V보다 작을 때 Cut off 됨을 알 수 있다. 즉, 일 때 채널이 유기됨을 알 수 있다. 이는 왼쪽의 이론적인 그래프를 보면 더 잘 알 수 있다. Triode Region에서는 가 와 에 비례하여 증가하고 Saturation Region에서는 가 에 관계없이 에 의해서만 증가된다. 그리고 Triode와 Saturation Region이 만나는 경계지점을 “pinched-off"되었다고 한다.

참고 자료

1. Sedra/Smith, Microelectronic Circuits 4th, OXFORD
2. 최평외, Pspice 기초와 활용(ver8.0 윈도우용), 북두출판사
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