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[반도체] 4-Point Prove

등록일 2004.04.15 한글파일한글 (hwp) | 4페이지 | 가격 1,500원

소개글

많은 도움 되셨으면 하구요. 스퍼터링 실험시 필요한 이론이죠..^^*

목차

1. 4-Point Probe 이론

※측정시
1)측정 능력의 한계
2)저항치의 계산
3)General Comments

본문내용

1. 4-Point Probe 이론

저항은 특히 반도체 분야에서 샘플의 불순물 농도 때문에 중요한 파라메타이다. 4-Point Probe는 보통 벌크 저항을 측정하는데 사용한다.
캐리어의 운동성은 온도, 결정결함의 농도, 분순물의 농도에 의해 결정된다. 홀 이펙트( Hall effect)의 측정은 주어진 샘플의 정확한 도판트의 농도를 측정함으로써 가능하나, 홀 이펙트 측정은 항상 샘플을 부숴야 하는 단점이 있다.
4-point probe 는 동일선상에 놓여진 텅스텐 와이어 프로브를 포함하고 있으며, 샘플의 표면을 접촉하도록 되어 있다. 전류(I)는 바깥쪽 프로브 사이에서 흐르며, 전압(V)는 안쪽 프로브 사이에서 측정하여 전류의 손실이 없도록 하였다. 샘플이 어느 정도 무한한 부피를 가지고 있고 프로브 안쪽의 간격이 s1= s2 = s3 = s라면 ,어느 정도 무한한 볼륨의 저항은 다음과 같다.
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