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[예비 조사보고서] 반도체 다이오드

등록일 2004.04.09 한글파일한글 (hwp) | 2페이지 | 가격 400원

목차

1. 목적

2. 원리요약

3. 실험구상

본문내용

어떤 물질이 도체나 부도체로 구분되는 것은 물질을 이루는 원자에 전자가 얼마나 강하게 구속되어 있느냐에 달려 있다. 게르마늄이나 실리콘과 같은 물질은 도체와 부도체 중간 정도의 전기 전도도를 가지고 있다. 이러한 물질은 순도가 높은 결정체로 되어 있을 때는 부도체이지만 결정체에 전자를 더해주거나 빼주는 불순물이 천만분의 일이라도 섞이게 되면 전도도가 매우 크게 바뀌게 된다. 이러한 물질로 상황에 따라 도체나 절연체가 되는 물질을 만들 수 있는데 이것을 반도체라 한다.Ge(게르마늄)과 Si(실리콘)은 Ⅳ족 원소로서 이들 원소의 각 원자는 이웃 4원자의 4개의 전자를 공유하는 결정상태에 있다. 이들 전자는 결합력이 강해 순수한 Ge이나 Si의 결정은 아주 큰 저항을 갖고 있다. 이 결정에 불순물이 들어가면 일반적으로 저항이 감소한다. 특히, P(인)이나 기타 Ⅴ족 원소의 미량을 순수한 Ge의 용융상태에 첨가시켜 천천히 냉각시키면 결정에는 P원자가 산재하게 된다.
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