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[물리학] 트랜지스터의 특성과 응용

등록일 2004.04.05 한글파일한글 (hwp) | 11페이지 | 가격 1,000원

소개글

기초물리실험 리포트입니다.

목차

1. Introduction

II. Related Theory
1. 트랜지스터의 기본 동작
2. 트랜지스터의 증폭 작용
3. 트랜지스터의 스위칭 작용

III. Materials & Methods
1. Materials
2. Methods

IV. Results & Discussion

V. References

본문내용

트랜지스터는 1개의 반도체 결정 속의 얇은 N형 반도체를 2개의 P형 반도체 사이에 끼우거나 또는 얇은 P형 반도체를 2개의 N형 반도체 사이에 끼워 2조의 접합을 형성한 소자이다. 그림(a)를 PNP형 트랜지스터라 하고, 그림 (b)를 NPN형 트랜지스터라 한다. 이번 실험에서는 이런 트랜지스터를 이용해서 여러 회로를 만들어 보고 그런 과정을 통해 트랜지스터의 특성을 알아보도록 한다.

1. 트랜지스터의 기본 동작
PNP형 트랜지스터와 NPN형 트랜지스터를 작동시키기 위해서는 먼저 PN 접합의 이미터와 베이스 사이에 순방향의 직류 전압을 가하여 베이스와 컬렉터 사이에는 역방향의 직류 전압을 가해야 한다. 이와 같이 트랜지스터에 직류 전압을 가하는 것을 바이어스전압(바이어스)을 가한다고 한다.

바이어스 전압을 가하면 트랜지스터의 결정 속에서는 어떤 현상이 일어나고, 또 캐리어의 작용은 어떻게 되는지 트랜지스터의 성질에 대해 알아본다.

(1) PNP형 트랜지스터의 경우
먼저 PNP형 트랜지스터의 경우 아래의 그림을 보면 그림(a)에서 베이스와 컬렉터 사이에는 역방향 전압 Vcb가 가해져 있으므로 PN접합에서는 전위 장벽이 높아져 베이스와 컬렉터 사이에는 전류가 흐르지 않는다.

참고 자료

1. Richard C. Dorf, 1998, The Electrical Engineering - Hand Book -, CRC Press,
pp. 127 - 135
2. 여러 Internet sites
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