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[재료공학] Sputter의 원리와 종류

등록일 2004.04.02 | 최종수정일 2017.07.17 한글파일한글 (hwp) | 4페이지 | 가격 1,500원

목차

1. Sputter deposition의 장단점
2. Sputtering 할때 조절해야 할조건
3. Sputtered 박막의 구조
4. Bias Sputtering
5. DC Sputtering
6. RF sputtering
7. Reactive Sputtering

본문내용

Sputtering은 chamber내에공급되는 gas cathode에서 발생되는 전자사이의 충돌로부터 시작된다. 그 과정
을 보면-. 진공 chamber내에 Ar과같은 불활성 기체를 넣고(약 2 15mTorr 정도), cathode에 (-)전압을가하
면-. cathode로부터방출된전자들이 Ar 기체원자와충돌하여, Ar을 이온화 시킨다.Ar + e-(primary) = Ar+ +
e-(primary) + e-(secondary)-. Ar이 excite되면서 전자를 방출하면, 에너지가 방출되며, 이때 glow
discharge가 발생하여 이온과 전자가 공존하는 보라색의 plasma를 보인다.
-. plasma내의 Ar+이온은 큰전위차에 의해 cathode(target)쪽으로 가속되어 target의표면과 충돌하면, 중성의 target원자들이 튀어나와 기판에 박막을 형성한다.

Sputter deposition의 장단점을 보면

(장점)-. 여러 가지 다른재료에서도 성막속도가 안정되고비슷하다.
-. 균일한성막이가능, step 또는 defect coverage가좋다.
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