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평가점수B

cmos-TTl interface 예비

등록일 2004.03.21 | 최종수정일 2014.08.20 한글파일한글 (hwp) | 2페이지 | 가격 800원

소개글

제가 사용하던 레포트로 첨에는 맥스플러스가 엄고
후반부터 필요한 부분은 모두 포함되있습니다.
제법 공들여 썼습니다

목차

1. CMOS의 원리 (Complementary Metal Oxide Semiconductor)
2. CMOS와 TTL의 interface
3. TTL과 CMOS의 interface
예비보고서

본문내용

1. CMOS의 원리 (Complementary Metal Oxide Semiconductor)

(1)CMOS의 장점 :동일한 실리콘 웨이퍼 위에 n-channel, p-channel device가 동시에 만들어질 수 있음.
적은 전력손실, 잡음여유도가 큰 점, 높은 package 밀도, 공급전압의 폭이 넓은 점등이다.
(2) 기본회로는 inverter로서 p-channel FET(Field-Effect Transistor)와 n-channel FET로 구성됨.
(3) 는 +3~18[V]사이, high level은 , low level은 0[V]
(4) MOSFET(Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor)의 특성
① n-channel MOS는 gate-source 전압이 (+)일 때 전도됨.
② p-channel MOS는 gate-source 전압이 (-)일 때 전도됨.
③ nMOS 는 gate-source 전압이 0[V], pMOS는 gate-source전압이 5V일 때 off 됨.
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