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[전자회로실험] 접합 다이오드의 단자 특성과 제너 다이오드의 단자 특성

등록일 2004.03.19 한글파일한글 (hwp) | 8페이지 | 가격 600원

소개글

피스파이스 파형 이용~~!
기타 수식 사용

목차

목적
관련이론
순방향 바이어스
역방향 바이어스
항복 영역
실험방법

본문내용

[목 적]
접합 다이오드의 단자 특성과 제너 다이오드의 단자 특성을 실험을 통해 이해한다.

[관련이론]
1.접합다이오드의 단자 특성
p-n 접합다이오드는 개념적으로는 p형 반도체 덩어리와 n형 반도체 덩어리를 붙여놓은 구 조를 가진 것으로서, 소자라고 할 것도 없는 간단한 모양이지만 p형, n형 반도체의 근본 적인 특성에 기인한 매우 유용한 특성을 가지고 있다.
p형 반도체와 n형 반도체를 붙여 놓으면, 접합면 근처에서는 p형 반도체에 많은 정공은 n형 반도체로 확산되고, n형 반도체에 많은 전자들은 p형 반도체로 확산된다. 그런데 전 자들이 떠나버리면 n형 반도체의 접합면 근처의 5족원소들은 양전하를 띠게 되고, 반면에 정공들이 떠나버리면(다시 말해 가전자대의 빈자리를 전자들이 채우게 되면) p형 반도체 의 접합면 근처의 3족원소들은 음전하를 띠게 된다.이렇게 전하를 띠 불순물들이 지금까 지는 자유로이 확산하던 전자와 정공에 대해 전기적 장벽으로 작용하여 더 이상의 반송자 들의 이동을 막고 평형상태를 가져온다. 이와 같이 반송자들이 없어진 후에 생기는 접합 면 근처의 전하를 띤 영역을 공핍영역이라 한다.
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