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[전자공학] 다이오드 특성

등록일 2003.12.26 한글파일한글 (hwp) | 5페이지 | 가격 700원

소개글

전자공학의 기본 다이오드의 기본적인 이론과 특성 실험에 관한 리포트입니다.

목차

1. 제목
2. 실험 목적
3.관련이론
✥ 다이오드의 원리
✱ 다이오드의 특성
4. 실험기기 및 부품
5. 실험 방법

본문내용

✥ 다이오드의 원리
다이오드는 반도체로 이루어져 있다.
일반적으로 반도체의 재료는 규소(Si, 실리콘)를 가장 많이 이용한다. 순수한 규소는 원자의 최외각에 4개의 전자를 가지며 주위 원자와 단단히 결합되어 있습니다. 이를 진성반도체라 한다. 순수한 물질인 진성반도체는 전자들이 서로 붙들려 전하를 통하는 성질이 없으므로, 실제 사용 시에는 적당히 불순물을 첨가하여 사용하는데, 어떤 물질을 첨가하는가에 따라서 P형 반도체가 되기도 하고, N형 반도체가 되기도 한다.
(첨가하는 불순물)
*진성반도체(순수한 규소) + Phosphorus (0.044eV)
Arsenic(0.049eV) ➩ N형 반도체
Antimony(0.039eV)
설명 Ex) 순수한 규소(진성반도체)에 최외각 전자가 5개인 비소를 불순물로 넣어주면 비소의 전자 1개는 전기장을 걸었을 때 자유롭게 옮겨 다니므로 전자가 과잉(자유전자)으로 있는 N형 반도체가 됩니다. 여기서 N이란 네거티브(negative, 음)의 약자.

(첨가하는 불순물)
*진성반도체(순수한 규소) + Boron(0.045eV)
Gallium(0.065eV) ➩ P형 반도체
Indium(0.016eV)

참고 자료

Electronic Devices and Circuit Theory http://www.science.or.kr/lee/physics/diode/diode.html
http://w3.kut.ac.kr/~robot/goods/diode.htm
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