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[박막공학] Sputtering

등록일 2003.12.22 한글파일한글 (hwp) | 13페이지 | 가격 500원

소개글

ㅎㅎㅎ

목차

1. 서론
① 진공 증착
② 분자선 에피택시 (MBE, Molecular Beam Epitaxy)
③ 이온 플레이팅
④ Sputtering
⑤ DC 스퍼터링
⑥ 3극 스퍼터링
⑨ 반응성 스퍼타링
⑩ 이온빔 스퍼터링

본문내용

microelectronics를 위한 박막 제조방법은 크게 화학적 방법과 물리적 방법으로 나눌 수 있다. 화학적인 방법으로 대표적인 것이 CVD(Chemical Vapor Deposition)이다. CVD 즉, 화학증기 증착법은 표면 촉매 반응으로써, 기체상이 화학적 반응을 하여 고체 산물 형태로 표면에 증착하는 방법으로 단결정, 다결정, 비결정질 구조를 가질 수 있다. 화학 증기 증착법은 반응을 일으키고 끝내는것에 에너지의 개입 방법에 따라 구분 될 수 있다. a) 열적 활성화 반응으로 열이 저항체나 rf, 적외선 가열 기술에 의해 공급되는 방식으로 공정 조건이 대기압에서 이루어 지면 APCVD라 하고, b) 낮은 압력에서 이루어 지면 LPCVD라 한다. c) 또, 플라즈마가 개입되는 경우 PECVD라 하여, 낮은 압력에서도 glow-discharge 가 공급되어 증착률을 높일 수 있다. d) 이밖에도 광화학 또는 광감성을 이용하는 PHCVD, e) 레이져를 이용하는 LCVD등이 있다.
물리적인 방법은 PVD(Physical Vapor Deposition)으로써, evaporation, sputtering 과 같은 물리적인 힘(증발, 승화, 이온충돌 등)을 이용하여 시편에 증착을 시키는 방법이다. 종류에는 Thermal and E-Beam Evaporation, DC-diode Sputtering, RF Sputtering, Trided Sputtering, Magnetron Sputtering, Bias Sputtering, Ion Beam Sputtering 등이 있다.
Vapor-phase epitaxy의 발전을 위한 많은 기술과 시스템들이 발전을 하고 있으면 다양한 절연체 물질이나, 전도체 물질에 널리 이용 되고 있다.
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