검색어 입력폼

[Nano] Growth of GaN nanorods by chemical vapor deposition

등록일 2003.12.22 워드파일MS 워드 (doc) | 6페이지 | 가격 300원

소개글

학교에서 한학기동안 열심히 실험하고 얻은 data를 가지고 쓴 Termpaper 입니다 ^^

목차

1.Introduction
2.Experiment
3.Result
4.Discussion

본문내용

1. Introduction

GaN는 Wurzite 구조(상온에서 격자상수 a= 3.189Å c= 5.185Å )를 가지는 질화물 반도체로서 가시광선의 청색 파장대에 해당하는 3.4 eV의 직접천이형 band gab을 가진다. 또한 완전 고용체를 형성하는 InN, AlN 등을 사용하여 조성을 조절하면 자유롭게 광원의 파장을 조절할 수 있는 이점을 가지고 있어서 현재 청색표시 및 발광소자재료로서 가장 각광 받고 있는 물질이다. 보통 박막 성장을 위한 기판으로 사파이어 기판을 사용하여 왔는데, GaN와의 격자상수 차이와 열팽창계수 차이로 인하여 성장된 박막 내에 결함구조가 형성되는 문제점을 야기 시켜왔고, 이는 현재까지의 소자제작에 있어서 걸림돌이 되어왔다. 따라서 박막 성장에 있어서 가장 이상적인 형태인 동종에피성장을 시도하기 위해서 우수한 품질의 GaN기판의 성장이 시급하게 요구되고 있다.
다운로드 맨위로