검색어 입력폼
평가점수D

[전자공학 예비보고서] digital 논리회로

등록일 2003.12.20 한글파일한글 (hwp) | 9페이지 | 가격 700원

소개글

위의 본문 설명에는 수식과 그림이 생략되어 있을 수 있으나 원본에는 모든 수식과 그림이 있고, 피스파이스 시뮬레이션 결과도 있습니다.

목차

1. 목표
2. 배경이론
3. 예비보고사항배 경 이 론

본문내용

1. 목 표

digital 논리회로의 하나인 TTL NAND gate의 동작원리를 알아보고 출력측에 같은 종류의 소자가 몇 개나 부하로 연결될 수 있는지를 나타내는 fan-out의 의미를 이해한다.

2. 배 경 이 론
※ 와 로만 구성되어 있는 경우
① 입력 중 적어도 1개 이상이 V(0)=0.2V[V](low)
BJT 의 B-E junction이 에 의해 을 통해 순방향으로 전압이 걸리므로 에서 low 입력 쪽으로 emitter전류가 흐르고 그 collector단자에서 를 향해 collector 전류가 흐르겠지만 그 방향이 의 정상적인 통전방향과 반대이므로 그 전류의 량이 의 B-E junction의 미소한 역포화전류로 제한될 수 밖에 없다. 따라서 는 collector전류가 base전류의 배에 이르지 못하는 saturation mode에 머무를 수 밖에 없고, 따라서 의 collector단자이자 의 base단자의 전위가

참고 자료

기초 전자공학 실험(양원영 저)
다운로드 맨위로