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평가점수A

[실험 예비보고사항] BJT 특성곡선

등록일 2003.12.20 한글파일한글 (hwp) | 6페이지 | 가격 700원

소개글

위의 본문 설명에는 수식이나 그림이 생략되어 있을 수 있으나 원본에는 모든 수식과 그림이 있으며 피스파이스 시뮬레이션 결과도 있습니다.

목차

1. 목표

2. 배경이론

3. 준비물

4. 예비보고사항

본문내용

- Emitter Electrons
Emitter는 전자가 정공에 비해 매우 많은 Position를 차지하고 있다. 따라서 상대적으로 매우 얋은 층을 가지고 있는 Base를 건너 Collector로 Emitter에서 나온 전자가 움직이게 되는 효과를 얻어낼 수 있다.Collector의 Doping 수준은 일반적으로 Emitter에 비해 약하게 하며, Emitter에서 건너온 전자들의 집합 장소이기도 하다.
- Base Electrons
만약에 Base 쪽으로 인가되는 전압이 Base-Emitter 다이오드의 Barrier Potential 보다 더 크다면, Emitter의 전자들은 Base 쪽으로 움직이기 시작한다. Base에 도착한 전자들은 두개의 방향으로 각각 나뉘어진다.대부분의 전자는 Collector 쪽으로 움직이고, 소량의 전자는 Base와 연결된 외부의 전원단으로 움직이게 된다. 대부분의 전자는 Collector 쪽으로 움직이는 이유는 Base의 Doping level에 의한 전자의 lifetime 증가에 있다. Collector 쪽으로 전자가 움직이기에 충분한 시간을 제공하기 때문이다. 또한 Base는 상대적으로 매우 얇은 층을 가지고 있기 때문에 더욱 더 쉽게 전자가 Collector 쪽으로 움직이게 되는 것이다.

참고 자료

기초 전자공학 실험(양원영 저)
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