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[반도체] 실리콘LSI의 한계와 나노기술로의 전개

등록일 2003.12.16 한글파일한글 (hwp) | 15페이지 | 가격 1,000원

소개글

2003년도 학사 졸업논문입니다.

목차

서론

본론
1. 2개의 Break through
2. 초절전 에너지 소자
3. 단일전자 터널 현상의 기초
a. 이론적 배경
b. 단일전자 트랜지스터
c. Charging 효과의 측정
d. Coulomb 진동
e. Coulomb 진동의 온도의존성
f. Coulomb 계단

결론

본문내용

요약

반도체 기술의 발달로 모든 기기들이 소형화되고 있는 추세이다. 이것은 LSI 소자의 발달과 무관하지 아니한데, 이제는 그 소형화의 한계에 다달아 있는 실정이다. 이를 넘어서는 Break through가 필요한데, 그 중의 하나가 초절전 에너지 소자의 개발이다. 여러 방법이 있지만, 결론적으로는 소요되는 전자수를 줄이는 방법이 그 대안이라 하겠다. 즉, 단전자 소자의 개발이 관건이다. 그러나 LSI의 저소비전력화는, 실제로는 소자만으로 정해지지 않고 회로, 시스템에도 크게 의존한다. 따라서 칩 또는 시스템 전체에서 저에너지화를 진행해야하며 나노 기술을 이용한 소자공정 뿐만아니라 회로 및 시스템을 포함한 Break through가 요구되어 진다.
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