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[반도체] 반도체 제조 공정에서의 CMP

등록일 2003.12.12 한글파일한글 (hwp) | 9페이지 | 가격 1,000원

소개글

제가 리포터로 작성한겁니다.
논문형식으로 작성한겁니다.
좋은 참고자료가 되었으면 합니다....^^

목차

1.서론
2.CMP의 개념
3.Cu CMP가 개발된 배경
4.CMP의 특징
5.CMP원리
6.CMP의 구성 요소
7.CMP의 시장규모및 전망
8.결론
9.참고문헌

본문내용

CMP란 Chemical Mechanical Planarization 이라 하여 이름그대로 화학적 기계적 평탄화 공정으로 최신 반도체 제조공정이다. 현재의 반도체 제조공정은 웨이퍼의 크기가 300mm로 대직경화 되는 추세이고 디바이스 제조에서 요구되는 최소선폭은 0.13마이크로미터로 가는등 미세해지고 더욱 복잡하며 엄격한 제조환경을 요구하게 된다. 또한 디바이스 성능 자체향상을 위해 고집적화가 필요하며 이에 다층배선구조를 가져야 한다. 다층 배선화 구조를 요구 할 때 다음 배선층을 위해 평탄화 공정이 필요한데, 기존의 기술이 REFLOW, SOG, ETCH BACK등을 써서 평탄화 하여 사용한 반면 다층배선이 높아짐에 따라 더 이상 이런 기술로는 웨이퍼의 평탄화 작업이 만족스럽지 못했기에 이를 위해 CMP기술이 제시되었다.
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