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[전자 소자 이론] CMOS LSI와 Bipolar process 기술 동향

등록일 2003.12.10 한글파일한글 (hwp) | 6페이지 | 가격 700원

소개글

CMOS LSI와 Bipolar process 기술 동향과
반도체의 생산과정을 자세히 상세히 기술하고 있으며
그림을 첨부하여 보기가 아주 좋고, 좋은 점수 받았습니다.

목차

1.서 론
*반도체의 역사
2.본 론
1)집적회로의 제조 과정
2)공정 기술 동향
3) IC 통합 동향
4) 웨이퍼 동향
5) IC 패키징 동향
3.결 론

본문내용

1)집적회로의 제조 과정
집적회로를 제조하는데 쓰이는 실리콘(Si)은 지구상에서 두 번째로 풍부한 원소이다. 해안의 모래나 암석은 대부분이 불순한 형의 실리콘이라고 할 수 있다. 그러나 그것을 그대로 집적회로에 사용할 수는 없으며 실제로 사용되는 실리콘은 매우 높은 순도가 요구된다. 화학적인 방법 혹은 물리적인 방법으로 순도가 높은 실리콘이 얻어지면 집적회로의 재료로서 웨이퍼(wafer)라고 하는 직경 100mm, 두께 0.3mm정도의 얇은 실리콘 단결정판을 만든다. 웨이퍼의 표면에 적당한 패턴으로 불순물을 주입하여 원하는 집적회로를 구성하여 사진식각 기술을 이용하여 규칙적으로 하나하나 잘라서 칩(chip)을 만든다. 여기서 사진식각 기술이라는 것은 각 소자의 미세한 구조를 만드는데 중심이 되는 기술이다. 이러한 기술을 이용하면 한 장의 웨이퍼로부터 수 백개에서 수 천개의 집적회로를 만수 있다.
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